电工基础

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RLC串联和并联谐振电路谐振时的特性

非线性和线性负载连接到三相电源。 电源电流是非正弦的。 并联有源滤波器在 0.08 秒处切换。 现在电源电流是正弦的并且与电源电压同相。 功率因数接近统一，THD 降低至 5% 可以改变负载参数以研究不同类型的负载特性

毕设的六自由度悬索并联机构简化几何模型以及静态工作空间，包括visio可打开的静态工作空间图、matlab代码、matlab的figure图

电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通MOSFET并联技术应用电路分析等技术资料180个合集 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf (核心)功率MOSFET安全工作区SOA：真的安全.pdf (核心)功率MOSFET的特性.pdf (核心)功率MOS管的五种损坏模式详解.pdf (核心)如何导通MOSFET.pdf IRF3205S中文资料.doc IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf MOSEFT分析_理解功率MOSFET的开关损耗.pdf MOSFET Mosfet 和 三极管：在ON 状态区别.pdf MOSFET 应用说明.pdf MOSFET-IGBT的驱动理论与应用.pdf MOSFET与IGBT的区别.doc MOSFET与IGBT的应用区别.pdf MOSFET与IGBT的本质区别.pdf MOSFET与IGBT的驱动和保护方法.pdf MOSFET体二极管反向恢复过程分析.pdf MOSFET和IGBT性能对比.pdf MOSFET和IGBT的对比分析.pdf MOSFET并联技术 MOSFET损耗计算 MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf MOSFET栅极应用电路分析汇总（驱动、加速、保护、自举等等）.pdf MOSFET温升计算工具.xls MOSFET特性参数的理解.pdf MOSFET的UIS及雪崩能量解析.docx MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc MOSFET的驱动技术详解.doc MOSFET管驱动电路基础总结.docx MOSFET米勒震荡应对1.pdf MOSFET米勒震荡应对2.pdf MOSFET米勒震荡应对3.pdf MOSFET规格书详解.pdf MOSFET计算公式.xls MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf MOSFET雪崩能量的应用考虑.doc MOSFET雪崩能量计算方法.pdf MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf MOSFET驱动方式详解.pdf MOSFET驱动电路设计参考.pdf MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf MOS器件ESD失效的机理分析.pdf MOS开关损耗计算.pdf MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf MOS管击穿原因详析及各类解决方案.doc MOS管功率损耗竟然还可以这么测.pdf MOS管参数详解及驱动电阻选择.pdf MOS管器件击穿机理分析.pdf MOS管开关时的米勒效应 张飞.pdf MOS管炸不炸,原因就在这里.pdf mos管的GS波形振荡怎么消除.pdf mos管的最大持续电流是如何确定.pdf MOS管被击穿的原因及解决方案(全).doc mos管门级驱动电阻计算.pdf MOS管静电击穿的原因和防护措施.doc MOS管驱动电阻怎么选择.doc MOS管驱动电阻怎么选择.pdf NECMOSFET选型.pdf VISHAYMOS选型手册.pdf VISHAY功率MOSFET基本系列：了解栅极电荷并用来评估开关性能.pdf 从安全工作区探讨IGBT的失效机理.pdf 传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 关于MOS管的15个为什么.pdf 典型开关MOS电流波形的精细剖析.pdf 再谈米勒平台及线性区：为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效？.pdf 分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题----(国外电力电子技术).pdf 功率MOSFET低温工作特性分析.pdf 功率MOSFET反向特性的分析模拟.pdf 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 功率MOSFET的UIS雪崩损坏机理：第五篇.pdf 功率MOSFET的封装失效分析.pdf 功率MOSFET的栅极电荷特性.pdf 功率MOSFET的特性.pdf 功率MOSFET的结构与特点.pdf 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 吃透各类MOSFET电路.pdf 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较.pdf 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法.pdf 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及应用.pdf 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 张兴柱-功率器件设计公式.pdf 张兴柱之MOSFET分析.pdf 有源钳位电路.pdf 深入理解功率MOSFET数据表.docx 理解MOSFET的VTH：栅极感应电压尖峰.docx 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管

并联电源的负载共享 load sharing，设计与介绍，多用在复杂通信、工业设备设计应用时，电源的备份，电源使用效率优化设计

3-RSR并联机构的精度研究 由于并联机构具有很好的精度、承载能力和刚度性能，所以并联机构的研究如今已 经越来越受到广大学者和专家们的重视。由于精度性能一直是并联机构研究领域里一个 研究难点，而且广大学者专家们对于并联机构精度性能的研究力度也很小，所以并联机 构精度性能的研究对并联机构的发展和应用意义重大。 本文以 3-RSR 并联机构为研究对象，对其精度性能进行了以下几方面的研究。 运动学分析。为了更方便、更简洁、更快速的求解出位置正解，以便于对 3-RSR 并 联机构进行实时控制，采用了解析法与 BP 神经网络相结合的方法，通过实例验证，采 用此方法所得到的正解值能够很精确地与理论值拟合。 误差模型。因为 3-RSR 的三条支链是完全对称的，所以可以选取 3-RSR 并联机构 的任意一条支链作为研究对象，构建动平台相对于静平台的 D-H 矩阵，接着采用矩阵微 分法，建立 3-RSR 并联机构的误差模型，误差矩阵里包含了动平台的 6 个位姿分量的误 差值。 误差分析。利用定性分析法分析各个构件的原始误差分量对动平台运动误差的影响， 并借助于 Matlab 软件，进行定量分析，得出原始误差的影响规律曲线，得出各构件的 原始误差对动平台运动误差的影响程度。 误差补偿。采用了径向基神经网络算法来对 3-RSR 并联机构的运动误差进行补偿， 该算法能够快速训练出实际驱动转角到理论驱动转角的函数关系，而且具有很高的拟合 效果，所以在实际补偿过程中，能够使 3-RSR 并联机构的精度得到很大的提高。 最后，通过实例验证，3-RSR 并联机构位置逆解结合 BP 神经网络训练法能够快速、 准确的解出 3-RSR 并联机构的位置正解，这样有助于实时地了解并控制 3-RSR 并联机 构的运动状态；通过误差分析能发现杆长原始误差对 3-RSR 并联机构的动平台运动误差 影响程度最大；进行误差补偿之后使精度提高了将近 10 倍，这样能很好的满足工作场 合的精度要求。此方法也能解决其他构型的并联机构，对于并联机构精度问题研究是一 个很好的借鉴。

通过电阻并联，提高电阻精度的小软件，做运算放大时对于那些精度要求较高的电阻可用该软件计算出较为常用的电阻组合