在本文中，我们通过采用kT因式分解方法，计算了对ρ介子电磁形状因数的次先校正（NLO）校正。 我们发现，对Fi（Q2）（i = LT，TL）的NLO校正约为Q2> 2GeV2区域中前导（LO）贡献的30％。 在区域Q2> 3GeV2中，对FLL（Q2）的NLO校正接近LO one的20％。 对电，磁和四倍形状因子Fj（Q2）（j = 1,2,3）的NLO辐射校正的幅度可观，并且与其他方法的一致。

我们研究了在强耦合和手性极限中在有限密度下整个手性相变的净重子数波动。 通过使用辅助场蒙特卡洛方法考虑了中子场波动。 我们发现，高阶累积比和和在处的相边界周围表现出振荡行为，并且存在一个区域，其中高阶累积比为负。 发现的负区域随着晶格尺寸的增加而收缩。 此行为符合缩放分析的预期。

我们讨论了手性相变附近净重子数概率分布的性质，以探索临界波动的影响。 我们的研究是在Landau理论中进行的，在该理论中，对多项式势的系数进行了参数设置，以便重现平均场（MF），<math> Z （ 2 ） </ math>，

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基于HAL库的单定时器多通道中断精准控制脉冲数(4个步进电机)，博客：STM32控制多个步进电机：基于HAL库单定时器多通道中断精准控制脉冲数+多定时器单通道中断精准控制脉冲数 中有程序设计思路和主要程序解析。

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一、消费类电子产品SOC芯片开发的一些经验 1、其实在开发软件这个工作上，一些芯片原厂推出的SDK软件包是非常值得学习和借鉴的 (1)、因为他们为了方便用户开发，和阅读，以及一些驱动的写法的重复利用，都是做了很多的工作，其中的思维和 方法都是值得借鉴和学习的 (2)、很多时候，我们开发一些不算庞大的系统，总觉得自己写的程序还是可以的，但是一旦功能复杂了，整个程序 的架构就不得不重新的思考，这个时候，你就需要去参考别人高端人士的写法和思维 (3)、我们开发过程中，芯片原厂开发包，基本都是“消息机制”、“宏选择功能”、“大量的结构体封装” 我可以上传一下芯片厂商提供的开发SDK，有300多个文件，我个人认为整个框架清晰明了，值得学习

STM32获取DHT22温湿度显示在OLED屏幕，可显示正负浮点四位温度数值。

TCP，UDP混合传输过程中绑定不同的端口，server和client相当与采用异步方式对结构体数据进行传输，两个简单的混合加密只采用了其中之一，给出两个大数的指数幂函数与取模函数。对于server端的同步方式应可采用SOCK链表与建立一处理类。