对掺Yb3 双包层光纤激光器不同参数情况下的输出功率和增益分布进行了数值模拟,分析了一端泵浦和双端泵浦方式下输出特性的差异.

绍了半导体激光器及其使用要点

Following Langevin rate equations, the expressions of phase noise power spectrum density are obtained and the results in good agreement with experiment and calculations are given.

该篇美信应用笔记重点阐述了激光器驱动电路及激光二极管接口，对于光模块发射端原理设计提供了重要指导价值。此外，还详述了各种波形及眼图异常的原因及解决方法，对于光眼图调试分析有极其重要的参考意义。

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。     本标准代替GB/T15175—1994《固体激光器主要参数测试方法》。     本标准与GB/T15175—1994相比主要变化如下:     ———第3章引用了GB/T15313,删除了原标准中与GB/T15313内容相同的术语和定义;     ———第4章中增加了“仲裁测量标准大气条件”的规定;     ———删除了原标准中“横模模式”的测量方法(见1994年版的5.3);     ———在“光束宽度或光束直径”的测量方法中增加了“空心探针法”的测量(见5.7);     ———增加对“光束质量”的测量方法(见5.9

单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低功耗、小发散角、高调制带宽和易于二维集成等优点，在光互连、光存储、高速激光打印和长波通讯等方向有着很好的应用前景。调节VCSEL顶部和底部反射层的结构可以很容易地实现单纵模条件，然而要实现横向单模输出，就要同时对出射光加以横向限制。在VCSEL的顶部反射层刻蚀出二维光子晶体结构构成的光子晶体VCSEL实现了稳定的单横模激光输出。介绍了光子晶体VCSEL的基本结构、工作原理、研究进展和应用领域，并探讨了如何使光子晶体VCSEL获得更高的出光功率、控制激光偏振特性和减小发散角等问题。最后评述了光子晶体VCSEL的国内研究现状，并对未来的研究做了展望。

为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。

从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究，分析了不同器件参数对光束质量的影响，为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光（VCSEL）阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距， 在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较，新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。

报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器件相比具有更高的输出功率。在室温连续工作条件下,阵列在注入电流6 A时最高输出功率为1.81 W,阈值电流为1.2 A,斜率效率为0.37 W/A,微分电阻为0.01Ω。针对较大的远场发散角对单元器件有源区中电流密度分布进行了计算,分析了器件高阶横模产生的原因。使用镀制额外金层的结构来改善远场发散角,将半角宽度由30°压缩到15°以下,改进后器件的输出功率略有下降。60℃恒电流模式寿命测试结果显示器件在800 h后输出功率衰减小于10%。

大数据-算法-非稳腔高能激光器中激光模式的数值模拟.pdf