为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。

从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究，分析了不同器件参数对光束质量的影响，为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光（VCSEL）阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距， 在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较，新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。

报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器件相比具有更高的输出功率。在室温连续工作条件下,阵列在注入电流6 A时最高输出功率为1.81 W,阈值电流为1.2 A,斜率效率为0.37 W/A,微分电阻为0.01Ω。针对较大的远场发散角对单元器件有源区中电流密度分布进行了计算,分析了器件高阶横模产生的原因。使用镀制额外金层的结构来改善远场发散角,将半角宽度由30°压缩到15°以下,改进后器件的输出功率略有下降。60℃恒电流模式寿命测试结果显示器件在800 h后输出功率衰减小于10%。

大数据-算法-非稳腔高能激光器中激光模式的数值模拟.pdf

半导体激光器的SPICE模型半导体激半导体激光器的SPICE模型光器的SPICE模型半导体激光器的SPICE模型

首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制特性。从理论上得到了获得最低阈值的最佳阱数和最大调制带宽的最佳腔长。

摘要：半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之问，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒、子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。 关键词：半导体；激光器；电子；空穴

一、半导体激光器简介 　　半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。半导体激光器的常用工作物质主要有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）等。根据不同的工作物质主要有三种激励方式：电注入，pump式和高能电子束激励。 　　（1）电注入是半导体激光器，一般由GaAS、CdS、InP、ZnS等工作物质作为主要材料，制成半导体面结型二极管，在受到电注入时，沿着正向偏压注入

包括co2激光器，固体激光器 氦氖激光器 气体激光器……的结构示意图

PyFiberAmp简介 PyFiberAmp是用于稀土掺杂光纤放大器和光纤激光器的速率方程仿真库，部分基于Giles模型 。 使用PyFiberAmp，您可以模拟： 核心泵浦和双包层光纤放大器 简单的连续波，增益切换和Q切换光纤激光器 无限数量的泵，信号和ASE通道 拉曼频道数量有限 任意时间相关的光束，从连续波到纳秒脉冲 径向改变掺杂剂浓度和激发 自动计算的贝塞尔，高斯和高帽模式形状 其他好处包括： 内置绘图命令：轻松可视化结果 Python介面：方便后处理资料 C ++，Numba和Pythran后端：快速的时间动态仿真 开源：了解幕后情况 免费：根据需要在任意数量的计算机上安装 文档仍在进行中，可以在“。 有关实际示例，请参见上面的examples文件夹。 如果您有任何问题，评论或功能要求，请在GitHub上打开一个新期刊，或通过与我联系。 如果您发现PyFiberAmp在您