自问世以来的半个多世纪， 微电子和集成电路技术可谓发展神速， 其中光刻 技术的发展起到了重要推动作用。 而作为光刻技术发展的重要指标， 不断缩小的 关键尺寸则对如何改善产品线宽均匀度(Critical Dimension Uniformity， CDU) 等关 键参数提出了更高的要求。 光刻机焦平面偏差(Total Focus Deviation， TFD) 精度就 与产品线宽均匀度 CDU 的好坏有着紧密联系， 甚至会影响到产品的最小线宽。 因 此通过提高光刻机镜头的 TFD 精度， 可以达到改善产品线宽均匀度 CDU， 提高良 率的目的。

STEVAL-ISV012V1板基于SPV1040太阳能升压转换器和L6924D单节锂离子电池充电器。SPV1040器件是一款高效率，低功耗，低电压，单片升压型转换器，输入电压范围为0.3 V至5.5 V，能够最大化甚至单个太阳能电池（或燃料电池）产生的能量，低输入电压处理能力非常重要。由于嵌入式MPPT算法，即使在不同的环境条件下（例如辐照，污垢，温度），SPV1040在从电池收集的功率和传输到输出方面提供最大效率。如果达到最大电流阈值（最高2 A）或超过最大温度限制（最高155°C），SPV1040可通过停止PWM开关来保护自身和其他应用设备。 L6924D器件是一款全单片电池充电器，专用于单节锂离子/锂离子聚合物电池组。它是空间受限应用的理想解决方案，如PDA，手持设备，手机和数码相机。L6924D通常用作线性充电器。当从诸如太阳能电池板的限流适配器供电时，该装置还可以在“准脉冲”充电器模式下工作。要在这种情况下工作，器件的充电电流应设置为高于太阳能电池板最大峰值电流的水平。由于L6924D的最小输入电压非常低（低至2.5 V），在快速充电阶段，太阳能电池板的输出电压下降到电池电压加上充电器功率MOSFET两端的压降。 准脉冲充电模式的主要优点是它具有线性方法的简单性，其中功耗显著降低，从而最大化太阳能电池板的充电速率。具有嵌入式（MPPT）和准脉冲充电模式的锂离子电池太阳能充电器在系统效率方面是“同类最佳”，允许电池充电，同时最大化可用的太阳能电池板功率。在STEVAL-ISV012V1演示板中，L6924D由SPV1040的输出级供电，由400 mW的PV面板供电。 核心技术优势 快速充电  过流和过温保护  输入反极性保护  通过SPV1040和PV panel之间的阻抗匹配实现最大化的能量传输  效率高达95％  优化电池充电配置  高效单片升压DC-DC转换器  专有的Perturb和观察嵌入式MPPT算法  非常低的输入电压（低至0.3 V） 方案来源于大大通

tanner系列软件,L-edit是针对版图设计而编制的应用软件，用L-edit软件进行集成电路的设,

罗克韦尔自动化半导体与电子行业FMCS系统解决方案zip,以下为罗克韦尔自动化半导体与电子行业FMCS系统解决方案，请下载查看！FM C S (Fa c i l i t i e s M a n a g e m e nt Co nt r o l Sy s te m)，具有各层次的监视与控制功能，是工业级的控制系统，监视并控 制着服务于FA B生产的各子系统。子系统包含但不局限以下系统：洁净室、空调、机电设施、超纯水、污水处理、化 学品供应、气体供应、真空系统、压力系统、电力与生命安全系统等。作为专业的自动化供应商罗克韦尔可为用户 带来产品与工程上的最优化解决方案。

对考研的同学很有帮助，虽然不全但关键章节很细

电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学（注意此处不包括电荷在金属中的运动）。这一概念最早起源于20世纪早期，以便和电气工程（主要研究电动机、发电机和电缆传输）加以区别，当时的电子工程是一个崭新的领域，主要研究真空管中的电荷运动。如今，电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。微电子学研究集成电路（IC）技术，它能够在一块半导体材料上制造包含数百万甚至更多个电路元件的电路系统。 一个称职的电气工程师应该具备多种技能，比如要会使用、设计或构建电子电路系统。所以在很多时候电气工程和电子工程之间的差别并不像当初定义的那么明显。

在芯片开发过程中，调试就要耗费50%左右的开发时间和精力，这是一个不争的事实。调试被认为是半导体芯片设计与验证行业面临的最棘手挑战之一。   本文将全面分析低功耗设计和验证面临的各种复杂调试问题。我们将借助相关示例来说明如何避免或轻松解决这些问题。本文还会重点讨论一些低功耗设计可避开的常见陷阱；如不避开，这些陷阱可能引起难以在设计后期调试的复杂低功耗问题。

这是2000版的《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》 国标

半导体集成电路微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理rar,半导体集成电路微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理

半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。 此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会硬化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 光刻机涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量