新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性，在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联，匹配电路为集中元件和分布元件混合，采用负反馈技术提高带宽，RC并联网络提高稳定性，设计了一款20 MHz～520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试，在20 MHz～520 MHz频段内，功放模块饱和输出功率大于9 W，增益大于29.5 dB，漏极效率高于40%，带内平坦度为±0.7 dB。

频率：1.8-2.2Ghz 带宽：0.4Ghz 饱和增益：7.5-9dB 回退增益：11db 饱和效率：>65% 回退效率：>40% 回退DB数：9dB 设计介绍：https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/126940968?csdn_share_tail=%7B%22type%22%3A%22blog%22%2C%22rType%22%3A%22article%22%2C%22rId%22%3A%22126940968%22%2C%22source%22%3A%22weixin_44584198%22%7D

源文件，设计指标 频率：2.3-3.5Ghz 带宽：1.2Ghz 饱和增益：8-11.7dB 回退增益：11db 饱和效率：>60% 回退效率：>40% 设计流程参考链接：https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/126926427?csdn_share_tail=%7B%22type%22%3A%22blog%22%2C%22rType%22%3A%22article%22%2C%22rId%22%3A%22126926427%22%2C%22source%22%3A%22weixin_44584198%22%7D

1 引言 　　由于集成D类音频功率放大器效率较高，体积相对较小，同时大部分情况下不需要散热片或者只需要很少面积的散热片，大大减小了整体体积，使得它在音频电子产品中成为。但由于在D类功放设计中占用相同版图面积的情况下，pMOS管的导通电阻远大于nMOS管的导通电阻，为了减小版图面积，降低D类功率放大器的输出级H桥导通电阻，H桥采用nMOS管。为了使H桥高端和低端的LDNMOS管过驱动电压相等，这就需要外部增加一个额外的高电平电源去驱动H桥高端，因此有必要采用基于电荷泵的电容自举电路产生一个高电平，这样既提高了驱动效率，又减少了对外部多个电源的需求，巧妙地实现了对D类功放H桥的驱动。 　　本文

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根据压电陶瓷基本物理参数计算出压电驱动电源的最小基本性能参数,并利用高压运放研制了一种 新型压电陶瓷驱动器的驱动电源,它具有高的输出电压范围(1"##2+,高输出电流("##34,峰值电流$##34+- 并且通过对反馈电路的波特图分析,讨论了自激震荡的产生和防止-在试验中通过对压电驱动器的正弦信号激励 分析,表明驱动电源在带负载时有良好的输入跟随性能,能够满足复杂压电驱动器控制需要

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本设计采用了高速比较器和专用半桥驱动组成数字功率放大器。电路简单，方便制作。并且有很高的性造币和保真度。

通信电子线路课件：Chapter 3 高频功率放大器.ppt

通信电子线路课件：第三章 高频功率放大器.ppt