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为了提高掘进机振动信号小波包去噪的效果,最大限度避免噪声对信号特征提取的影响,提出了基于最优小波基选取的掘进机振动信号去噪方法。该方法以信号频谱为分析依据,首先确定了小波包分解的最优分解层数,再选择最优小波基函数,实现了对掘进机振动信号的实时处理,去噪效果达到了最佳。现场试验结果也验证了该方法的有效性。

基于径向基函数RBF神经网络的传感器故障诊断的方法研究

视觉惯性同步硬件 作者： （ ），（ ） 1.说明 该项目旨在对摄像机和IMU进行硬件同步，以便它们都使用相同（毫秒级）的时基。 我们已经在Ubuntu16.04（ROS Kinetic）中测试了代码。 Arduino将为每个IMU测量（200 Hz）计算精确的（微秒）时间戳。 在某些时间戳（20 Hz）下，它将触发相机（通过触发线）以捕获新图像。 时间戳记和triggerCounter数据将被发送到PC（IMU节点）。 IMU节点将从Arduino接收IMU数据，并通过新的ROS TimeReference消息（主题/ imu / trigger_time）发布时间数据。 相机节点将订阅此时间数据，以为每个相机图像重建精确的时间。 因此，消息流将如下所示： IMU –> Arduino –> PC (ROS IMU node) –> ROS camera node 2.要求 2

adaptburgers_mol.zip 包含简单的 matlab 代码，这些代码使用 ode15s 作为时间步进方法的线法和空间径向基函数的自适应残差二次采样来求解一维时间相关的伯格斯方程。 参考： TA Driscoll 和 ARH Heryudono 径向基函数插值和搭配问题的自适应残差二次采样方法，提交给。 计算。 数学。 应用程序论文可从以下网址下载： http://www.math.udel.edu/php/deptapps/techrept.php?year=2006 解压文件，然后运行adaptburgers_mol.m 可以修改代码以解决其他一维非线性 pdes，例如 Allen-Cahn 等。 更多代码可以下载 http://www.math.udel.edu/~heryudon/research.html

CM0S工艺是为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中，而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应（latch－up）及独立优化N沟和P沟器件，人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS，包含N阱、P阱、局部氧化硅（LOCal Oxidation of Silicon，Locos）隔离、N＋多晶硅栅，以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步： 　　（1）轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱

根据多模激励的单腔体谐振器原理以及基片集成波导(SIW)高Q值、低损耗、大功率容量的特点，提出了一种新的SIW方形腔体双膜滤波器的设计方法。该方法通过在SIW腔体两个对称角上切角作为微扰来使简并模式分离并产生耦合，从而形成了中心频率在 4．95GHz的窄带带通滤波器，并最终采用直接过渡方式实现了SIW到微带的转换。

硅基光电子调制器件研究进展，龚翰墨，李强，硅基光电子调制器件是硅光子学领域中不可或缺的部分，近年来得到学者们的关注。基于硅的非线性效应可实现对于通信波段信号光的调

所谓基极调幅，就是用调制信号电压来改变高频功率放大器的基极偏压，以实现条幅。其基本原理是，低频调制信号电压与直流偏压相串联。放大器的有效偏压等于这两个电压之和，它随着调制信号波形而变化。使三极管工作在欠压状态下，集电极电流的基波分量随着基极电压成正比变化。因此，集电极的回路输出高频电压振幅将随着调制信号的波形而变化，于是得到调幅波输出。共基极电路的频率特性最好，因而它在高频电路中使用最多