1、频繁插拔电时，PIC单片机容易死机。用一个10K电阻并在LM7805的5V输出端到地。 2、单片机的复位端的电容不能太大。 使用PIC单片机去设计工控电路，最头痛的问题，就是 PIC 单片机在受干扰后经常硬件死锁，大部份人归咎于“CMOS的可控硅效应” 因而产生死锁现象，一般都认为“死锁后硬件复位都是无效的，只有断电”。但是一个成熟的商品，那须要你去断电呢？ 就好像一台电冰箱，压缩机一启动，产生干扰，CPU受干扰因而‘硬件死锁’，死机在那儿，假如发现了，可以马上拔掉电源插头，隔几秒再插回，如此的动作可以接受吗？ 假如死机时没发现，死机几十天，你猜它会如何呢？ 应该是供给CPU电源的稳压IC烧毁了。 PIC单片机为什么会硬件死锁，PIC单片机在受干扰后经常硬件死锁，那么PIC要‘看门狗’有何用，有没有人深入去探讨其原因，在各 PIC 单片机论坛也提得很多，各有各的观点，总具体的原因不外是“CMOS的可控硅效应”而产生死锁现象， 依我各人的观点，应与 “CMOS的可控硅效应”无关，但很多大虾皆认为是“CMOS的可控硅效应”所引起的，所以一直以来我也不方便提出，说不定是我的观点

1、电路图的简化 电学综合题是每年中考的必考题，但是电路图复杂多变，部分同学可能会觉得难以入手，这个时候就需要用到简化电路的技巧。常用的简化电路的方法有： 1.从整体角度分析电路。从电源正极（或负极）出发，先看电路的干路部分，再看支路部分（如果......

1、摘要 开关电源已经深入到国民经济的各个行业当中，设计师或是自行设计电源或是购买电源模块，但是这些电源都离不开电源的各种电路拓扑。本文先介绍了开关电源的三大基础拓扑：Buck、Boost、Buck-Boost，并就这三者拓扑之间进行了简单地组合，得到了非常巧妙的电路，例如：正负输出电源、双向电源等，能够满足诸如运放供电、电池充放电等某些特殊的需求。 2、开关电源基础拓扑 开关电源三大基础拓扑为：Buck、Boost、Buck-Boost，大部分开关电源都是采用这几种基础拓扑或者其对应的隔离方式，下面以电感连续模式进行简单介绍。 2.1Buck降压型 Buck降压型电路拓扑，有时又称为Step-down电路，其典型的电路结构如下图1所示： Buck电路的工作原理为： 当PWM驱动高电平使得NMOS管T导通的时候，忽略MOS管的导通压降，等效如图2，电感电流呈线性上升，MOS导通时电感正向伏秒为： 当PWM驱动低电平的时候，MOS管截止，电感电流不能突变，经过续流二极管形成回路(忽略二极管电压)，给输出负载供电，此时电感电流下降，如下图3所示，MO

1、串行转并行 引脚图 逻辑框图 2、功能注释 芯片主要分为移位寄存器和锁存寄存器两大部分。移位寄存器存储串行输入的数据，锁存寄存器锁存移位寄存器内的数据。 1)SHIFT CLOCK:移位时钟输入引脚，上升沿将数据串行输入; 2)SERIAL DATA INPUT:串行数据输入引脚; 3)RESET:清空移位寄存器中数据，低电平有效; 4)LATCH CLOCK:锁存寄存器时钟输入引脚，上升沿将数据完成锁存; 5)OUTPUT ENABLE:输出允许引脚; 3、应用 最多见的用于8 * 8 点阵LED的驱动。

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁的电阻(并联与串联)一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电

1.CMOS电平： '1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。噪声容限很大 2.TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 3.电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平...

1. 晶振与晶体的区别 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别 3. 晶体谐振器的等效电路

1. WH5-1A 、WH5-2A 、WHI18-1 ， WH118-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3- 门所示.它们的主要参数见表3-6。 该组电位器的外形如图3-12 所示，它们的主要参数见表3-7 。 3. WH121-1 , WH121-1A 、WH121-2 型绝缘釉合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-13 所示，它们的主要参数见表3-8 。 4. WH09-1 , WH09-2 , WH0912-1 、WH0912-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-14 所示，它们的主要参数见表3-9 。 5 , WH130-2 、WH125 、WH155 、WH165 型合成破膜电位器该组电位器的外形如图3-15 所示，它们的主要参数见表3-10 。 6. WH109-1 、WH109-2 、WH142-1、WH142-3 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-16 所示，它们的主要参数见表子3-11。 7. WH0913-A 和WH0913-B 型合成碳膜电位器WH0913-

1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下

1. MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax： 式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。2.变压器原边绕组电流峰值IPK为： 式中：η为变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。3.变压器原边电感量LP为： 式中：Ts为开关管的周期(s)；LP单位为H。4.变压器的气隙lg为： 式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。5.变压器磁芯反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为 式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的 开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数， 一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数