MIC524-LDO-芯片资料介绍.pdf

利用VerilogA建模的方式实现了一种具有双向移位功能的自时钟数字LDO。该电路采用了粗糙和精细双环控制模块，其中利用双向移位寄存器产生自时钟；该模块与导通管部分的PMOS管阵列相结合，可以有效的减小输出电压的下溢或过冲，减少瞬态响应的时间。为了尽量减小输出电压的尖峰，利用电压阈值比较器和电压范围检测器，来确保双环的精确转换。介绍的数字LDO可以工作在0.8 V的低电源电压下，适用的负载电流可以大于260 mA，并且能够消除输出电容补偿的必要性。最后利用ADMS混仿平台，对建立的模型进行仿真验证。

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主要介绍线性稳压器及其主要的性能参数，对LDO电路设计理解有帮助

500mA, LOW-NOISE LDO VOLTAGE REGULATOR

电压基准是LDO线性稳压器的核心部分，它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求，另一方面又有较高的精度要求，提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，仿真结果显示，输出基准电压为1.213 V，静态电流为538 nA，在-55～125 ℃温度范围内，温度系数仅为10.58 ppm/℃，低频时的电源抑制比为-85 dB。

该TC1303B双输出稳压器可用于同步降压稳压器输出和低压差线性稳压器输出。该TC1303B电源管理模块电路板具有良好的输出，测试点用于输入功率，输出负载，关断控制和电源正常监视。 特性: 具有电源正常输出的TC1303B，500 mA同步电感式DC-DC降压转换器+ 300 mA LDO。 旨在演示小尺寸和低噪声固定输出应用。 输出电压设置为降压VOUT1 = 1.8V，LDO VOUT2 = 2.7V 附件资料截图:

9V 降压 5V，12V 降压 5V 降压芯片和 LDO，稳压芯片选型，几款降压芯片方案，电源芯片 方案，降压芯片方案，大电流 3A 方案和 LDO，3A 和 40V 耐压 LDO，低功耗恒压稳压芯片， 固定稳定输出芯片，低纹波大电流方案芯片

LDO的核心误差放大器的简介和频率补偿的分析和设计

 利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。