计算机网络等教科书中知识均为理论，这里知识均为实操

1、频繁插拔电时，PIC单片机容易死机。用一个10K电阻并在LM7805的5V输出端到地。 2、单片机的复位端的电容不能太大。 使用PIC单片机去设计工控电路，最头痛的问题，就是 PIC 单片机在受干扰后经常硬件死锁，大部份人归咎于“CMOS的可控硅效应” 因而产生死锁现象，一般都认为“死锁后硬件复位都是无效的，只有断电”。但是一个成熟的商品，那须要你去断电呢？ 就好像一台电冰箱，压缩机一启动，产生干扰，CPU受干扰因而‘硬件死锁’，死机在那儿，假如发现了，可以马上拔掉电源插头，隔几秒再插回，如此的动作可以接受吗？ 假如死机时没发现，死机几十天，你猜它会如何呢？ 应该是供给CPU电源的稳压IC烧毁了。 PIC单片机为什么会硬件死锁，PIC单片机在受干扰后经常硬件死锁，那么PIC要‘看门狗’有何用，有没有人深入去探讨其原因，在各 PIC 单片机论坛也提得很多，各有各的观点，总具体的原因不外是“CMOS的可控硅效应”而产生死锁现象， 依我各人的观点，应与 “CMOS的可控硅效应”无关，但很多大虾皆认为是“CMOS的可控硅效应”所引起的，所以一直以来我也不方便提出，说不定是我的观点

1、串行转并行 引脚图 逻辑框图 2、功能注释 芯片主要分为移位寄存器和锁存寄存器两大部分。移位寄存器存储串行输入的数据，锁存寄存器锁存移位寄存器内的数据。 1)SHIFT CLOCK:移位时钟输入引脚，上升沿将数据串行输入; 2)SERIAL DATA INPUT:串行数据输入引脚; 3)RESET:清空移位寄存器中数据，低电平有效; 4)LATCH CLOCK:锁存寄存器时钟输入引脚，上升沿将数据完成锁存; 5)OUTPUT ENABLE:输出允许引脚; 3、应用 最多见的用于8 * 8 点阵LED的驱动。

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁的电阻(并联与串联)一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电

1.CMOS电平： '1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。噪声容限很大 2.TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 3.电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平...

1. WH5-1A 、WH5-2A 、WHI18-1 ， WH118-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3- 门所示.它们的主要参数见表3-6。 该组电位器的外形如图3-12 所示，它们的主要参数见表3-7 。 3. WH121-1 , WH121-1A 、WH121-2 型绝缘釉合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-13 所示，它们的主要参数见表3-8 。 4. WH09-1 , WH09-2 , WH0912-1 、WH0912-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-14 所示，它们的主要参数见表3-9 。 5 , WH130-2 、WH125 、WH155 、WH165 型合成破膜电位器该组电位器的外形如图3-15 所示，它们的主要参数见表3-10 。 6. WH109-1 、WH109-2 、WH142-1、WH142-3 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-16 所示，它们的主要参数见表子3-11。 7. WH0913-A 和WH0913-B 型合成碳膜电位器WH0913-

1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下

1. MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax： 式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。2.变压器原边绕组电流峰值IPK为： 式中：η为变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。3.变压器原边电感量LP为： 式中：Ts为开关管的周期(s)；LP单位为H。4.变压器的气隙lg为： 式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。5.变压器磁芯反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为 式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的 开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数， 一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数

0.引言 光电开关在工业自动控制设备中应用广泛， 与机械行程开关相比， 光电开关无机械碰撞， 响应快， 控制精度高。许多包装机、印刷机、纺织机等都用其进行限位、换向及其它控制。本文介绍的红外光电开关， 由红外二极管（GaAs发光二极管、光敏二极管）集成运算放大器及继电器等构成。其特点是电路简单、抗干扰能力强、工作稳定可靠。 1.电路结构及工作原理 红外光电开关电路原理图如图1。红外发光二极管V1或V2（SE303）与电阻R1组成红外发射电路直接驱动， 产生红外光信号。红外光敏二极管或与电阻或红外线接收头构成红外接收电路直接接收， 其作用是将红外信号转换成电信号。由于红外光敏二极管的峰值波长在的红外区域， 安装时再选带有可见光截止滤波片的硅光敏二极管，环境光对它的影响就很小， 使用时一般不再对环境光进行要求。 集成运算放大器IC1-1（LM324）。与外围元件组成直流电压比较器，红外接收电路的输出直接加到IC1-1的同相端， 电位器RP中心头输出的基准直流电压加于反相端， 通过3脚与2脚的电压比较使IC1-1的输出为低电平（0.00V）或高电平（7.62V）。发光二极管VH为

Windbg基础知识，一份非常有参考价值的资料，容易理解