很经典的一本翻译教材，可以当做工具书来查，也可以做为入门

第三代短波高速数据传输关键技术，短波信号调制方式自动识别方法分析所需要的标准，短波通信研究标准，短波信道中3G-ALE信号

Splitfp Splitfp是一款可以拆分第二代和第三代测序数据的软件。 安装 安装方法1 git clone https://github.com/zxgsy520/splitfp.git cd splitfp chmod 755 splitfp 安装方法2 wget https://github.com/zxgsy520/splitfp/archive/v2.2.1.tar.gz tar -zxvf v2.2.1.tar.gz cd splitfp-2.2.1 chmod 755 splitfp 指示 usage: splitfp [-h] -r1 FILE [FILE ...] [-r2 FILE [FILE ...]] [-w FILE] [-n INT] [-o STR] name: splitfp.py Split a specific format for mu

三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压

第三代半导体 SICGaN行业研究报告.pdf

半导体行业深度研究：第三代半导体，新能源汽车+AIOT+5G撬动蓝海市场，碳中和引领发展热潮-20211026（79页）.pdf

GB∕T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

三代社保卡申请流程:一、召集厂商做研究 做一套完整方案 二、跟人行 银行 相关政府部门沟通基本应用、数字证书应用拓展设计 三、软件层面的改造及建设：制发卡系统、个人化中心、卡管系统、持卡库系统、业务系统、RA/CA系统、终端动态库 四、硬件层面的改造及建设：终端、PSAM卡、加密机、服务器设备配置 五、设计卡面，向部里提出申请发卡，申领新密管系统、灌装密钥 六、进行发卡整体联调测试 七、向部里和央行报批发卡审批材料，送样卡进行通用测试，正式制卡，发卡宣传等

锐能微单相计量芯片RN8209C硬件 Protel参考设计原理图+PCB+相关技术文档资料: 8213+8209C V1.1.pdf 8213+8209C V1.1.sch 8213+8209C V1.4.1-1.pdf 8213+8209C V1.4.1-2.pdf 8213+8209C V1.4.1-3.pdf 8213+8209C V1.4.1.pcb IOtoUART_code_V1.0.zip RN8207G（C版）用户手册_v1.5.pdf RN8208G(8000：1)用户手册_v2.0.pdf RN8209各版本说明 - v3.pdf 单片机IO模拟串口UART程序应用笔记V1.0.pdf 单相计量芯片RN8207C用户手册_v1_3.pdf 单相计量芯片RN8209C、RN8209D用户手册_v1_6.pdf 单相计量芯片RN8209G(C版)用户手册_v3_0.pdf 锐能微单相计量芯片RN8209C硬件 Protel参考设计原理图+PCB+相关技术文档资料.zip 锐能微单相计量芯片直流测量应用笔记_v1_0.pdf 锐能微电能计量产品选型指南v1.2.pdf 锐能微第三代单相计量芯片应用笔记v1.3.pdf

HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中