第三代半导体行业报告：碳化硅、氮化镓
三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压
文件下载
评论信息
其他资源
- JAVA项目文档模板
- 基于LabVIEW的计算器、音乐播放器及2048小游戏的综合程序设计
- 【原版】粒子群算法实战分享 动画PPT
- PYTHON实现股价预测（ppt）
- 无迹kalman滤波
- C#实现《CATIA二次开发技术基础》中的模板
- java版给爱人表白祝福的小项目
- C语言大作业—学生成绩管理系统.rar
- 一个n个并发进程共享m个资源的银行家算法的模拟实现
- 模拟退火遗传算法 源程序
- 工程伦理学mooc课后习题答案
- 最新更改过特性字符串的chromedriver（89.x版本）
- 无刷直流电机基础.pdf
- 微信小程序开发demo1.rar
- 使用Cocos2d-X开发中国象棋
- 8086新工程.pdsprj
- java 音乐播放器
- 基于SVM与ANN的车牌识别
- 偏微分图像去噪中的经典算法分裂Bregman算法的源代码.zip
- Java语言时间片轮转算法
- 基于VC++ 摄影测量计算程序
- C#文件加密解密（完整项目）
- 图像处理测试图片汇总
免责申明
【只为小站】的资源来自网友分享，仅供学习研究，请务必在下载后24小时内给予删除，不得用于其他任何用途，否则后果自负。基于互联网的特殊性，【只为小站】 无法对用户传输的作品、信息、内容的权属或合法性、合规性、真实性、科学性、完整权、有效性等进行实质审查；无论 【只为小站】 经营者是否已进行审查，用户均应自行承担因其传输的作品、信息、内容而可能或已经产生的侵权或权属纠纷等法律责任。
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见 版权及免责申明
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见 版权及免责申明