使用的是CST2020，内附天线各项参数，可用于课题作业。

传统的微带线低通滤波器尺寸偏大，阻带较窄，针对此问题本文提出了一种新型微带线低通滤波器。该滤波器由半圆型缺陷地结构（Semicircle Defected Ground Structure，S-DGS）单元和半圆型阶梯阻抗并联枝节（Semicircle stepped-impedance shunt stubs，S-SISS）级联而成。文中分析了S-DGS和S-SISS的参数变化对滤波器带阻特性的影响，建立了微带线滤波器的等效电路模型。该滤波器结构紧凑，3-dB截止频率为2.4GHz，阻带为4-18 GHz，比传统DGS滤波器的阻带拓宽了30%。测试结果与仿真结果吻合较好，验证了所设计滤波器的可靠性性。

本文着重研究了一种DGS结构的带阻特性，及其对微带天线阵的影响。将其应用于微带贴片阵上，并将其与未加DGS结构的微带天线阵进行了比较。结果分析表明，该DGS结构能够明显降低天线阵元之间的耦合，增大天线的增益，对天线性能有明显的改善作用。

使用ADS工具设计并仿真微带天线，详细记录了设计和仿真过程。

使用极化转换超表面的微带天线的超宽带和极化不敏感的RCS减小

本文设计的X波段宽带微带阵列天线的天线单元即是采用这种缝隙耦合馈电的双层微带天线。为了减小背向辐射，采用带状线作为天线单元的馈电线和阵列的馈电网络。

关于表面波的抑制 在微带天线中，除了直接辐射之外，还可以激励表面波，从而产生轴向辐射。因此，在设计中必须给予考虑。这些表面波是TM型和TE型，它们传播到微带贴片之外的基片中。当沿微带贴片传播的准TEM波相速接近于表面波相速时，就出现了波间的强耦合。这类表面波耦合的最低频率确定了微带天线工作频率的上限。 最低次TM模的截止频率没有下限，高次模（TMn和TEn）的截止频率为 式中，c是真空中的光速；n=1，3，5，…（TEn模），或n = 2，4，6…（TMn模）。对于TE1模，以duroid（r = 2.32）和氧化铝（r = 10）为基片时，h / c（c为截止波长）的计算值分别为0.217和0.0833。因此，最低次TE模对于0.16cm厚的duroid基片，在约41GHz上可以激励起来，对于0.0635cm厚的氧化铝陶瓷基片，在约39GHz上可以激励起来。 由于TM0模的截止频率没有下限，所以，在开路微带天线上，总能激励到相当程度，甚至在介电常数较低而且非常薄的基片上，也能以近于光速的相速传播起来。计算表明，当h / 0 > 0.09（r  2.3的基片）和h / 0 > 0.03（r  10的基片）时，表面波的激励就相当可观了。因此，一般来说，在特定的应用中，如果按照上面的表面波抑制条件来选择基片，表面波的影响就可不必考虑。

X波段微带余割平方扩展波束天线阵赋形优化遗传算法研究

这是一个用于计算设计参数和绘制矩形贴片天线辐射特性的 GUI。 欲了解更多信息，请访问我的博客http://microstrip-antennas.blogspot.com/ 它从基础开始全面覆盖贴片天线

无线电---微带天线理论(钟顺时).相当好的书，适合搞天线的人士用