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2021-08-17 09:06:36
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20210806-华创证券-化工行业：半导体材料系列报告（一），产业转移与政策呵护双重动力，半导体材料国产化进程持续加速.pdf
2021-08-07 09:08:46
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芯片制造技术-半导体单晶炉计数资料合集：
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第02章-半导体制造工艺.pptx
2021-07-14 22:05:04
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2021-07-08 09:02:49
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20210529-光大证券-基础化工行业周报：日产光刻胶短缺加速国产验证，大陆半导体材料市场增速全球最高.pdf
2021-05-31 12:02:38
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20210519-国海证券-雅克科技-002409-深度报告：快速崛起的半导体材料平台型龙头.pdf
2021-05-19 15:03:44
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20210505-方正证券-化工行业新材料周报：2021年全球半导体材料市场有望达587亿美元，万润股份2021年Q1同增6.08%.pdf
2021-05-05 19:03:04
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利用太赫兹(THz)时域光谱技术对两种重要的半导体材料n型硅(n-Si)样品和p型硅(p-Si)样品进行了研究。通过测量自由空间的参考信号和透过样品的THz信号, 经过快速傅里叶变换等一系列数据处理, 获得了它们在0.5～2.0 THz频率范围内的光学参数。结果表明, 在该频率范围内两种样品的折射率和相对介电常数实部基本不随频率变化, 而p-Si样品的消光系数和相对介电常数虚部随频率增大而下降的幅度明显大于n-Si样品。此外, 通过计算获得了两种材料的复电导率和介电损耗, 发现n-Si样品和p-Si样品两者在THz波段都具有良好的介电特性, 适合作为半导体基片材料在THz波段工作。
2021-02-10 12:03:45
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