为减少无轴承同步磁阻电机的成本，提高其实用性，提出了一种基于高频注入法的无传感自检测技术，通 过在转矩绕组注入脉动高平电压信号，利用电机空间凸极效应及，实现对转子速度的有效预测。利用Matlab 仿真软 件构建了仿真系统，仿真结果表明该自检测方法能实现对转子的位置/速度准确预测，并能实现无传感器方式的稳 定悬浮运行。

电子型基于CuPc的电子突触元件的整流调节忆阻特性

基于CuPc的多功能忆阻器的Hebbian规则的长期稳态特性

忆阻器是一种具有记忆功能和纳米级尺寸的非线性元件，作为混沌系统的非线性部分，能够使系统的物理尺寸大大减小，同时可以得到各种丰富的非线性曲线，提高混沌系统的复杂度和信号的随机性。因此，本文采用离子迁移忆阻器的磁控模型设计了一个新的混沌系统。通过理论推导、数值仿真、Lyapunov指数谱、分岔图和Poincare截面图研究了系统的基本动力学特性，并分析了改变不同参数时系统动力学行为的变化。同时，建立了模拟该系统的SPICE电路，SPICE仿真结果与数值分析相符，从而验证该混沌系统的混沌产生能力。最后，利用线性反馈同步控制方法实现了新构造的离子迁移忆阻混沌系统的同步，并且采用该同步方法有效实现了语音信号的保密通信。数值仿真证实了新混沌系统的存在性以及同步控制应用的可行性。

忆阻器的记忆效应类似于生物神经系统中突触的功能,其纳米级尺寸、低功耗和高集成度等特性,使得忆阻突触具有仿生智能的信息处理能力,这对构建神经形态系统具有重要意义.本文在改进忆阻器模型的基础上,设计了一种反向串联忆阻开关型突触电路.当开关断开时,周期方波电压对忆阻值(权值)进行调节,实现权值更新;当开关闭合时,突触电路中的忆阻值被用于连接权值来存储信息.该突触电路具有STDP(spike-time-dependent-lasticity)仿生学习能力和阻值线性连续特性.本文将此突触电路应用于交叉阵列的图像存储中,优化了存储方案,讨论了噪声电压对图像存储的影响,进行了数值分析和仿真比较.实验结果表明:所提出的存储方案比单忆阻器交叉阵列存储方法更具有可靠性和鲁棒性.

用微分代数系统描述的忆阻神经网络

具有延迟和不连续神经元激活的分数阶忆阻神经网络的O（t-α）同步和Mittag-Leffler同步

具有通用导通的时滞分数阶忆阻神经网络的全局一致渐近固定偏差稳定性和稳定性

含三个忆阻器的六阶混沌电路

采用新型步进阻抗，短截线负载四模谐振器的宽阻带双频带通滤波器