《CMOS超大规模集成电路设计》英文版第四版,作者Neil H.E. Weste和David Money Harris
2021-08-16 15:56:51 13.83MB CMOS VLSI
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。
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关于Hspice的应用,不算太清晰,仅限于个人使用。
2021-08-15 11:28:07 23.88MB HSPICE
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本资源文档中,主要包含《Razavi Analog CMOS》,《模拟CMOS集成电路设计》,《模拟电子技术基础(童诗白)课后答案》,《模拟电子技术基础-清华大学-全套完整版》,《CMOS模拟集成电路设计(第二版)课后习题详解》等
2021-08-12 21:36:06 57.38MB cmos 模拟集成电路 拉扎维 答案
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CMOS集成电路设计-Allen版完整答案 非手写 chaper1-10
2021-08-10 23:04:19 2.82MB CMOS ANALOG
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Low Power CMOS VLSI Circuit Design.pdf 超大规模集成电路低功耗设计 经典教材
2021-08-10 15:24:20 7.25MB Low Power CMOS VLSI
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CMOS BIOS源代码,可以根据此源代码了解bios的编写方法
为了在更高的电源电压下工作,并便于匹配网络的设计,电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计,该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz,并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。仿真结果显示,在3.3 V工作电压下,最大输出功率为30.68 dBm,1 dB压缩点处输出功率为28.21 dBm,功率附加效率PAE为30.26%。所设计的版图面积为1.5 mm×1 mm。
2021-08-08 02:29:43 193KB 放大器
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包含IMX274、IMX290以及IMX377。海思资料中不提供索尼摄像头资料,网上资料一般都是芯片简介,不是完整资料。这里将3个Sensor的芯片资料一并给出。
2021-08-08 01:09:44 4.4MB CMOS SONY
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CMOS集成电路设计手册(第3版):基础篇 CMOS集成电路设计手册(第3版):基础篇
2021-08-07 00:08:11 77.67MB 硬件技术
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