ECC 的全称是 Error Checking and Correction，是一种用于 Nand 的差错检测和修正算
法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash 出错的时候一般不会造成整
个 Block 或是 Page 不能读取或是全部出错，而是整个 Page（例如 512Bytes）中只有一个或
几个 bit 出错。ECC 能纠正 1 个比特错误和检测 2 个比特错误，而且计算速度很快，但对 1
比特以上的错误无法纠正，对 2 比特以上的错误不保证能检测。
2023-04-02 21:39:17
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西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功开发第五代 3D NAND
技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5 基于 TLC 和 QLC 技术构
建而成，以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数
据呈现指数级增长的当下，BiCS5 成为了理想的选择。
2023-03-14 02:46:03
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这个是东芝nand flash TC58NVG3D1DTG00_E070118C的芯片资料
2023-02-24 15:50:34
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本章介绍了基本工作原理，并介绍了SSD应用中使用的浮栅NAND非易失性存储器的主要可靠性和扩展限制。 它进一步讨论了电荷捕获存储器单元作为NAND阵列中浮栅单元的潜在替代，并评估了未来3D存储器方法中两种存储器单元原理的潜力。
2023-02-24 12:49:27
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这是NAND FLASH 控制器的verilog源码，很有参考价值！ 这是NAND FLASH 控制器的verilog源码，很有参考价值！
2023-02-21 14:12:21
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本文介绍了NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
2023-01-31 19:07:44
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NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别
NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术( non‐volatile computer storage)。
Intel 于1988 年首先开发出NOR flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下
的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更
高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多
的硬件工程师分不清NOR 和NAND 闪存
2023-01-31 19:07:16
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