基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺，设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能，采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器，决定了电路的主要性能参数；第二级使用带有AB类输出的快速放大器，用来监控LDO输出电压的变化，以快速地响应此变化。电路仿真结果显示：在电源电压为5 V时，输出为1.8 V，输出电压的温度系数为10×10-6/℃；当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时，线性瞬态跳变为48 mV；当负载电流从0 mA到60 mA变化时，负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°，整个电路的静态电流为37 μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构，且能实现低功耗供电。

设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028 mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100 kHz处，PSR为-84.4 dB，输出噪声为8.3 nV/[Hz]，在1 MHz处，PSRR为-50.6 dB，输出噪声为6.9 nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。

CMOS低压差线性稳压器 [王忆，何乐年 著] 2012年