西南交通大学模拟集成电路设计实验报告
包含：
实验一 MOS管基本特性测试 3
实验二 跨导参数 gm 分析 3
实验三 沟道长度调制系数λ以及体偏置系数γ分析 8
实验四 MOS管共源放大电路分析 12
实验五 电流镜电路分析（1） 15
实验六 电流镜电路分析（2） 19
实验七 差动放大器研究 25
实验八 差动放大器研究 29
2021-08-06 23:24:10
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北邮13级，CMOS实验的所有实验的实验报告，内包含电路图，图中有电路的详细参数，此文档为本人最终交给老师的最终文档
2021-08-06 23:21:01
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1、将示例电路中的电阻更换为 15k，对电路进行 DC 分析，请问该电路能获
得的最高增益是多少？对应的输入直流电压为多少？
增益A=1.431\1.313=1.09
Vin=1.313v
2、将示例电路中晶体管按比例放大至 W/L=4u/700n, 在输入为 1.2V 的情况
下做 DC 分析，请比较尺寸改变前后晶体管工作点中的关键参数有何变化？
原来的关键参数点：
4u/700n关键参数点：
2021-07-21 19:02:39
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