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JESD79-4C：DDR4 SDRAM Standard(DDR4标准)-最新完整版-带详细标签(265页) 全网带最详细书签版。。。完整英文电子版 JEDEC JESD79-4C ,带最详细书签。本文档定义了 DDR4 标准，包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。 本规范的目的是为具有一个或两个通道的符合 JEDEC 标准的每通道 16 位 SDRAM 设备定义一组最低要求。 LPDDR4 双通道器件密度范围为 4 Gb 至 32 Gb，单通道密度范围为 2 Gb 至 16 Gb。 本文档使用以下标准创建：DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2(JESD209-2) 和 LPDDR3 (JESD209-3) .

最新完整英文电子版 JEDEC JESD220E：2020 Universal Flash Storage (UFS) V 3.1- 通用闪存存储 (UFS) 标准 V 3.1。该标准规定了 UFS 电接口和存储设备的特性。 这些特性包括（除其他外）低功耗、高数据吞吐量、低电磁干扰和大容量存储器子系统效率的优化。 UFS 电接口基于 MIPI M-PHY 规范的高级差分接口，与 MIPI UniPro 规范一起形成 UFS 接口的互连。 架构模型参考了 INCITS T10 (SCSI) SAM 标准，命令协议基于 INCITS T10 (SCSI) SPC 和 SBC 标准。

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GB/T 2423.1 -2008 GB/T 2423.2 -2008 GB/T 2423.3 -2016 GB/T 2423.4 -2008 GB/T 2423.5 -2019 GB/T 2423.6 -1995 GB/T 2423.7 -2018 GB/T 2423.8 -1995 GB/T 2423.9 -2001 GB/T 2423.10 -2019 GB/T 2423.11 -1997 GB/T 2423.12 -1997 GB/T 2423.13 -1997 GB/T 2423.14 -1997 GB/T 2423.15 -2008 GB/T 2423.16 -2008 GB/T 2423.17 -2008 GB/T 2423.18 -2021 GB/T 2423.19 -2013 GB/T 2423.20 -2014 GB/T 2423.21 -2008 GB/T 2423.22 -2012 GB/T 2423.23 -2013 GB/T 2423.24 -2013 GB/T 2423.25 -2008 GB/T 2423.26 -2008 GB/T 2423.27 -2

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图1.2 MCU及其周边电路原理图 五．实验步骤 1、 观察开发板实物，听老师讲解开发板各部分结构。 2、 学习和理解实验内容中MCU及其周边电路原理图、USB、I 2 C、SD卡接口等各 部分电路。 3、 掌握各部分电路功能，与实物开发板对应起来，为今后实验做好硬件准备。 4、各接口电路如下： USB、USB转串口及供电电路： USB、USB转串口及供电电路如图 1.3，这部分电路用于将程序烧写到FLASH 中，及进行RS232串行通信。USB转串口芯片是CH340,该芯片稳定性较好。该芯 片DP/D+引脚连MINI USB接口的脚3，DM/D-引脚连MINI USB接口的脚2，为一