这里含有8050,8550,9012,9013,9014,9015晶体管在Multisim中的Spice文件. 好多网友发送的文件都有漏洞，这里作者已经打上补丁，请直接使用，谢谢！ 本文件适用于Multisim14.0，别的版本……你们试试吧。 作者不容易，望惠存和点赞关注，谢谢！ 注意！凡是恶意抄袭本作者的文件，或者通过BUG免费下载的，若被作者查出，一律举报！

本文介绍的双晶体管正激有源钳位开关电源同时拥有单晶正激有源钳位和双晶正激两者的优点，适合于高压中大功率应用，并且磁芯得到有效的复位，磁芯利用率得到提高，占空比可以超过0.5，甚至可以达到0.7。供读者参考。

电子测量与检验技术

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基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。

静态调测仿真电路图 动态测试的仿真电路 观察电路的非线性失真

电工基础

对射频电路的设计进行详尽的讲述，从基础到高级理论、实践经验，是射频工程师很好的参考资料。