2016年可谓是快充手机大放异彩的一年，快速充电功能基本上在中高端机型上全面普及，甚至部分千元以下机型也有配备。在手机电池容量难以有大的突破的背景下，快速充电功能成为消费者和厂家都很重视的一个点，“充电X分钟、通话X小时”的广告语想必大家耳朵都听出茧了。简单来说充电功率P=充电电压U×充电电流I，所以稍微深入一点去观察的话，会发现市面主流快速充电方案分为高压快充、低压快充两种，前者以高通QC2.0/QC3.0、mtk PE+1.0/2.0为代表，占据了相当大的一部分份额，后者以OPPO的VOOC闪充技术为代表自成一派。然而走到了2016年末这个环节，低压大电流快充似乎占了上风，下面给大家盘点一

采用MC34063设计带电流扩充的负电源电路，功率MOS管NTB2506作外接开关管，通过调节功率MOS管的栅极驱动电阻和栅－源之间的电阻，使得栅极有最优驱动电压波形和电流大小，以增加电源的输出功率和效率。实验表明，设计的电源输出电流可达1A，且体积小、效率高。

本文给大家分享了一个大电流输出线性稳压器电路图。

大电流场致发射电子源的研究，雷威，张晓兵，与普通热阴极相比较，场致发射电子源利用高场强下的隧穿效应产生电子发射，不需要高温加热，有利于器件的小型化和集成化，在平板

高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针对该种复杂苛刻的工况,提出了一种可以用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路,该电路利用间接光触发方式,在触发回路中,串联的晶闸管触发信号由同一个控制信号通过光纤进行控制,经过光电转换后产生强触发脉冲电流,使晶闸管同步快速可靠导通。实验结果表明,该电路可实现串联晶闸管可靠触发,晶闸管触发脉宽时间可调,放电电压为9kV,放电电流高达32kA,满足脉冲放电电源模块的应用要求。

1.前言 　　在一些特殊应用场合，需要一种低电压大电流的电源，有时也需要电源频率、脉宽均可调整的脉冲电源。本文以ATmega16 为系统控制核心，结合RT8105 所组成的DC/DC 电源电路实现，最终实现了频率、脉宽可调低电压大电流的脉冲电源。 　　2.系统组成 　　系统组成框图如图1 所示。 图1 系统组成框图 　　系统首先由RT8105 构成的DC-DC 电源电路产生稳定的2V 电压，该电压经过一个开关管连接至负载，通过ATmega16 单片机输出的脉冲波形配合相应的驱动电路控制该开关管的导通和关断，从而在负载上形成与该脉冲波形同频率、同脉宽的脉冲电流。 　　此外，系统中

1 引言 　　为了以更低的功耗获得更高的速度和更佳的性能，要求电源电压越来越低，瞬态性能指标越来越高，因此对开关电源提出了越来越高的要求。用原有的电路拓扑及整流方式已不能满足现在的要求，为了适应IC芯片发展的需要，人们开始研究新的电路拓扑。因为输出电压很低，所以，同步整流自然成为这种低压大电流电源的必然选择，考滤到产品的复杂程度及产品可靠性，同步整流一般选择自驱动同步整流，能与自驱动同步整流电路较好结合的拓扑大致有三种：有源箝位正激变换器；互补控制半桥变换器；两级结构变换器。与两级结构变换器相比，有源箝位变换器和互补控制半桥变换器所用器件少，更具有吸引力。这两种变换器拓扑容易实现软开关，工作

小电流模拟大电流温升试验的研究，范彩云，许良军，对于大电流连接器来讲，温升问题是影响其连接性能的一个重要的因素．而接触电阻是造成温升的过高的一个重要的原因，本文通过Ansys�

芯片解决方案DC-DC芯片TPS40192DRCR（ C14972 ） 模块的输入和输出是接线柱。 输入电压:8-18V（推荐12V） 输出电压:5V 输出电流:最大10A（设计为6A） TPS40192是一款成本优化的同步降压控制器， 输入工作电压范围为4.5V至18V。这些控制器使用电压模式控制架构，具有600kHz的固定开关频率（TPS40192）。 由于较高的开关频率有助于使用较小的电感器和输出电容器，因此可以实现紧凑的电源解决方案。 自适应抗交叉传导方案可用于避免功率FET中的直通电流。

使用Arduino Pro Mini作为主控件，可玩性强 控制板/ mos板分体设计，易于维修/翻新 0.96英寸OLED屏幕，全参数显示在一个屏幕上 安全快速充电电容器，全停 高栅极驱动电压，以确保低内部电阻 脚踏板/自动点焊开关