现在常用的的电阻、电容、电感、二极管都有贴片封装。

基于单片机的电容式液位传感器参数测量

在数字通信系统中，随着PCB布线密 度，布线层数和传输信号速率的不断增加，信号完整性的问题变得越来越突出，已经成为高速PCB设计者巨大的挑战。而在高速PCB设计中，过孔已经越来越普 遍使用，其本身的寄生参数极易造成信号完整性问题，如何减少过孔本身所产生的信号完整性问题，已经成为高速PCB设计者研究的重点和难点

设计了一种基于单片机的电容式液位传感器,主要由单片机系统、555 定时器、液晶显示屏组成。单片机作为主要控制的部分,控制系统所有的部分,接收555定时器方波信号并读取出其频率,将频率转换成液位高度,显示到 LCD1602 液晶显示屏幕上,软件计算液位高度,减小了电容与频率转换的线性误差,最终实现算法的设计。

电源滤波电容的选取与计算,电源滤波电容的选取与计算,电源滤波电容的选取与计算电源滤波电容的选取与计算

ABB电容补偿装置RVC12说明书

各种储能技术的成本正在Swift下降，随着智能电网的出现，这些技术并入电网正在成为现实。 动态电压恢复器 (DVR) 是一种可以通过储能集成提供改进的电压骤降和骤升补偿的产品。 超级电容器 (UCAP) 具有低能量密度和高功率密度的理想特性，可用于补偿电压骤降和电压骤升，这两种情况都需要在短时间内获得高功率。 本文的新贡献在于将基于可充电 UCAP 的能量存储集成到 DVR 拓扑中。 通过这种集成，UCAP-DVR 系统将具有有功功率能力，将能够独立补偿暂时的电压骤降和骤升，而无需像过去那样依赖电网来补偿电网故障。 UCAP 通过双向 dc-dc 转换器集成到 DVR 的直流链路中，这有助于提供刚性直流链路电压，并且集成的 UCAP-DVR 系统有助于补偿临时电压骤降和电压骤升，持续时间为 3秒到1分钟。

在“半导体C-V测量基本原理”一文中，我曾谈到，电容-电压(C-V)测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数，适用范围包括MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管和JFET、III-V族化合物器件、光伏(太阳能)电池、MEMS器件、有机薄膜晶体管(TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管等等。研发实验室广泛利用C-V测量技术*测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能。可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验，监测工艺参数，分析失效机理。毋庸置疑，它们是半导体特征分析与测试的基础。 　　本文讨论如何针对特定的应用选择合适

电容寄生参数

超级电容器，也叫电化学电容器，是20世纪60年代发展起来的一种新型储能元件。1957年，美国的Becker首先提出了可以将电容器用作储能元件，具有接近于电池的能量密度。1962年，标准石油公司(SOHIO)生产了一种工作电压为6V、以碳材料作为电极的电容器。稍后，该技术被转让给NEC电气公司，该公司从1979年开始生产超级电容器，1983年率先推向市场。20世纪80年代以来，利用金属氧化物或氮化物作为电极活性物质的超级电容器，因其具有双电层电容所不具有的若干优点，现已引起广大科研工作者极大兴趣。     1超级电容器的储能原理     超级电容器按储能原理可分为双电层电容器和法拉第准电容器