HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中

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北京大学《半导体物理》教学课件！是报考北京大学微电子专业研究生同学很有用的资料

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2021年全球半导体产业研究报告

设备试验方法，有助于产品开发时设计产品的筛选试验、可靠性试验大纲和评估方法。

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Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques 剑桥 Achieve accurate and reliable parameter extraction using this complete survey of stateof- the-art techniques and methods. A team of experts from industry and academia provides you with insights into a range of key topics, including parasitics, instrinsic extraction, statistics, extraction uncertainty, nonlinear and DC parameters, self-heating and traps, noise, and package effects. Learn how similar approaches to parameter extraction can be applied to different technologies. A variety of real-world industrial examples and measurement results show you how the theories and methods presented can be used in practice. Whether you use transistor models for evaluation of device processing, need to understand the methods behind the models you use in circuit design, or you want to develop models for existing and new device types, this is your complete guide to parameter extraction.

投影式光刻机是微电子产业中极大规模集成电路的加工设备。 照明系统和投影物镜系统是投影式光刻机的重要组成部分， 其性能的好坏对光刻成像质量起决定性作用。 研究照明系统和投影物镜系统的性能对光刻性能的影响对光刻投影曝光系统的设计以及光刻系统的性能评估具有一定的指导意义。