纳米半导体与聚合物复合形成的新型电致发光材料,在大规模平面显示和移动通信等现代信息显示方面具有广阔的应用前景。在这种复合型电致发光材料体系中,聚合物不仅可用作LED器件的粘接剂,而且在用作无机发光层的分散介质时,对纳米晶粒的表面可以起钝化作用,防止发光猝灭,从而通过控制和调节纳米晶粒的含量和尺寸来调节发光强度和波长。当采用共轭聚合物与纳米半导体形成复合体系时,还可以通过共轭聚合物与纳米半导体间的电子转移来调节发光层的电子结构及其发光性能。利用纳米半导体的高电荷输运性,也可以增强电致发光聚合物发光层的效率。

基于原子层沉积的石英光纤中PbS量子点的形成和光致发光特性

Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜的制备及其性能研究

在有机红外光敏剂掺杂的有机电致发光器件（OLED）中实现近红外光信号到可见光的上转化,为大面积柔性有机红外上转化器件提供一种原型设计。

研究了1064 nm激光辐照致光学薄膜分层剥落的损伤特性及其抑制手段。从光学薄膜的界面结构出发分析了温升在分层剥落产生过程中的作用,从理论上得出了剥落面积与辐照脉冲能量之间的关系式并通过实验进行验证,间接证明了分层剥落的成因; 对分层剥落的抑制、改善方法进行了理论探讨与实验,证明亚阈值能量脉冲预辐照之后剥落面积明显减小,并且在一定范围内预辐照脉冲的能量密度越高相应的效果越明显,对作用机制给出了定性解释。

亚马逊CEO杰夫贝佐斯致股东信 1997-2018 中文版

用低温光致发光技术,研究了硅单晶中浅能级杂质和热处理引进的缺陷,得到各种浓度掺棚和掺磷的硅的光致发光光渚,并作出了相应的定量分析.实验中已探测到的硼的浓度低达5×10~(11)cm~(-3).观察了光致发光强度与激发光强度的关系,还用光致发光技术分析了450℃附近热处理引进的热施主的行为.结果表明,低温光致发光可以作为测量高纯半导体单晶硅中微量杂质硼和磷的含量及分析热处理硅单晶中的缺陷的有效手段.

单个银纳米八面体附近石墨烯量子点的调制光致发光

光机械诱导的透明性（OMIT）和相关的光变慢为在纳米级设备中存储光子提供了基础。 在这里，我们研究具有可调增益损比的奇偶时间（PT）对称微谐振器中的OMIT。 该系统具有边带反向，非放大透明性，即反向OMIT。 当盈亏比变化时，系统呈现出从PT对称相到断裂PT对称相的转变。 PT相变会导致泵反转并增加传输速率的依赖性。 此外，我们表明，通过以固定的增益/损耗比调整泵浦功率，或以固定的泵浦功率调整增益/损耗比，可以从慢光切换到快光，反之亦然。 这些发现为使用纳米制造的声子装置控制光传播提供了新的工具。

氙灯抽运将导致钕玻璃内产生不均匀温升，这是产生应力退偏的根本原因。热致应力退偏效应将直接降低系统效率、影响光束质量，因此确定片内的温度分布以及应力分布，准确预测由此带来的光束退偏特性并合理设计光束填充因子是十分重要的。介绍了我国第一台单束输出能力超过万焦耳的惯性约束聚变激光驱动器中大口径高通量验证实验平台片状放大器的热致退偏效应，通过理论模拟计算获得了钕玻璃片内三维温升分布、应力分布与由此导致的退偏分布特性，结果表明，片状放大器在5.28%/cm平均小信号增益系数输出的情况下整个光束口径内的应力双折射是很小的，但方光束的四个角部处的应力双折射较严重，最大的退偏量约为0.13％，该结果与劳伦斯·利弗莫尔实验室实验测得的结果基本一致。输出的激光近场结果表明，片状放大器热致退偏效应可满足大能量装置输出设计要求。