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一款DC_DC升压开关电源的设计(TL494)

前言: 获得精确的直流测量结果是许多应用的常见需求，但仅仅购买高精度和高灵敏度的仪器是不够的。各种不同的误差源都会影响读数的准确性。此外，对仪器参数进行微小的调整也可能会产生不同的结果。为了达到最高精度，您需要先彻底了解您的仪器才能使用各种方法来减少误差。 本指南介绍如何使用源测量单元（SMU）来进行DC测量。 下载地址:《最大化直流测量性能实用指南》 40多年来，NI致力于开发高性能的自动化测试和测量系统，旨在帮助您解决当前和未来的工程挑战。 我们软件定义的开放式平台基于模块化硬件和丰富的生态系统，可帮助您将强大的可能性转化为真正的解决方案。 该DC-DC降压转换器基于LM2576设计，输入电源9-36VDC，固定输出5V或12V DC，其特性如下: 输入电压范围:（9-36）VDC 固定输出电压:5V或12V可选 输出电流高达2.5A 用于输入的螺钉端子和电源插孔 螺丝端子，USB-A连接器和用于输出的电池连接器 耐噪音设计 适用于提供12V或24V的汽车电源和电池 适用于工业温度范围:-40°C至+ 85°C PCB尺寸:（3.2 x 1.8）“〜（81 x 46）mm DC-DC降压型电源转换器 PCB尺寸图:

一个实用的DC-DC电源，结构简单，成本低 请大家指正

这项研究是一个示例，说明如何使用Arduino Uno从12-24V DC构建三相230V / 380V

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DC-DC升压和降压电路电感参数选择详解pdf,DC-DC电路电感的选择简介：在开关电源的设计中电感的设计为工程师带来的许多的挑战。工程师不仅要选择电感值，还要考虑电感可承受的电流，绕线电阻，机械尺寸等等。本文专注于解释：电感上的DC电流效应。这也会为选择合适的电感提供必要的信息。

前言: 获得精确的直流测量结果是许多应用的常见需求，但仅仅购买高精度和高灵敏度的仪器是不够的。各种不同的误差源都会影响读数的准确性。此外，对仪器参数进行微小的调整也可能会产生不同的结果。为了达到最高精度，您需要先彻底了解您的仪器才能使用各种方法来减少误差。 本指南介绍如何使用源测量单元（SMU）来进行DC测量。 下载地址:《最大化直流测量性能实用指南》 40多年来，NI致力于开发高性能的自动化测试和测量系统，旨在帮助您解决当前和未来的工程挑战。 我们软件定义的开放式平台基于模块化硬件和丰富的生态系统，可帮助您将强大的可能性转化为真正的解决方案。 这种小功率DC-DC隔离电源可适用于各种工业仪表中，可为通道隔离采集电路供电、隔离RS485/RS232/CAN模块供电、隔离数字量输入输出供电等等。在之前做了几个项目，二次仪表，隔离器等等，都需要多路隔离电源，而且系统内隔离电源功率不大，但数量很多，如果一直采用金升阳，爱浦等隔离电源小模块，成本高且不说，还占用体积，用小体积的吧，温升又是个问题，因此有必要做个多通道，小体积的隔离电源，降低成本的同时，还能够有效降低温升。 如果有电子工程师不太懂电源设计，又需要多路电源隔离输出，那么这个电路方案肯定能用的上，调试简单，拓扑也简单，绕变压器不需要算气隙，直接计算匝数就可以了，非常方便。说白了就是简单实用。 小功率DC-DC隔离电源模块实物图展示: 系统设计框图: 说明: 工作原理我还不能很清楚的分析出来，但是实际使用中要注意三极管的选型，它必须要能够承受2倍的工作电压。 该项目设计来源于立创社区，设计资料仅供学习参考。 总结: 这个电路拓扑总的来说除了三极管要小心外，其他都还行，也帮助我这个电源菜鸟解决很多问题，做成模块化本质上想直接套用在仪表的电路中，比如做一批12V转4路5V输出，还有12V转2路正负5V等等，最终就是一个变压器的事情，大大降低成本,着急的自己手绕一个变压器也没问题；希望有高手能解析下这个电路，让大家更明白这个原理。在做2000VAC耐压测试后，当然肯定是漏了，重新接到电源中，发现输出电压有所下降，至发帖前还没搞懂为什么，还需要再研究研究，一般来说，24V以内的供电，耐压500VAC就足够了，不过趁机会折腾折腾，万一发现了新大陆呢。 还有一个想法:电路是定电压输入的，如果使用一组线圈加必要的负载，产生的电压反馈至定电压产生的开关电源芯片，那输出的电压是不是能够相对稳定些？ 附件内容截图:

120W AC-DC开关电源pdf,联益微电子专业供应各类电源管理IC 联系人：康R 手机：13530003715

对开关管的要求是快速开通、快速关断，只有快速地进行状态转换才符合PWM DC/DC转换器的工作需要，才会使开关过程中的交叠损耗减小。 PWM DC/DC转换器常用的开关管有两种：一种是功率场效应管MOSFET；另一种是绝缘栅双极晶体管IGBT。 　　N型沟道MOSFET的电路图形符号及其结构如图所示。这是一种场控器件，各电极的作用类似于NPN型晶体管。漏极D相当于集电极C，源极S相当 于发射极E，栅极G相当于基极B。最显着的区别是：MOSFET管是电压控制式开关器件，栅一源之间只需几伏的电压（不需要静态电流），就可以控 制它的输出电压和输出电流。 　　如图 N型沟道MOSFET的电