引言 　　随着商业和军事系统日益向小型化、智能化和灵活化系统的发展，对于低费用、重量轻和高性能天线的设计需求也日益增加。其中，相控阵天线作为一种智能化系统得到了很大的发展。而作为相控阵天线关键组成部分的无源移相器，由于其相对简单，故硬件结构成为一个重要的技术。传统电子移相器通常使用p2i2n 二极管、MESFETs 或者p HEMT 作为开关在不同电长度信号线之间进行切换，以得到所需的相移。这些半导体开关的损耗问题抑制了传统多位移相器向更高频率的发展。 　　随着RF MEMS 技术的出现，在毫米波频率，RF MEMS 开关成为低损耗移相器和其他控制电路设计的一个关键的革新技术。RF MEM

基于双极化MZM的倍频微波光子移相器

参加电赛的时候画的PCB，用AD17画的。可以实现100HZ~100KHz的信号的相移。再高可能会有失真。

移相平台 使用Phaser JS构建的基本平台器。 安装 npm install npm start 在浏览器中访问 。 移动和跳跃的箭头键。 现场版 移动和跳跃的箭头键。

为了使移相器的电路性能与体积重量满足有源相控阵雷达T/R组件的要求，设计了一种S波段五位数字移相器，该移相器由5个移相位级联而成，小度数移相位采用加载线型电路结构，大度数移相位采用改进型开关线结构；通过微波仿真软件ADS进行电路优化设计，在2.7GHz～3.1GHz频率范围内均方根相位误差小于3°，插入损耗小于3dB，输入驻波比小于1.4dB．仿真结果表明，该设计满足T/R组件的要求．

358.6°的8位全范围移相器；180°，90°，45°，22.5°，11.2°，5.6°，2.8°和1.4°钻头•低RMS相位和幅度误差▪RMS相位误差为1.0°▪RMS幅度误差为0.1 dB•+60 dBm IIP3的高线性度•扩展了窄带频率操作1.1–3.0 GHz•+105°C工作温度•封装– 32引线5×5×0.85 mm QFN

基于改变射频信号在传输过程中的相移的目的。采用环形正交90°分支线耦合器实现较宽工作带宽，变容二极管获得较大的移相范围。通过ADS2011仿真设计了一种用于Ku波段的反射型模拟移相器，其工作频段为17.7~19.2 GHz，工作带宽1.5 GHz，插入损耗小于3 dB。最终设计出一款最大移相量为160°的连续可调的压控模拟移相器。

移相器广泛应用于各种电路，但由于在放大器中的偏差以及电容公差，通常很难实现电路精确控制所需的精确移相。

仿真/MS14

六位数字移相器的设计，龚敏强，，本文介绍了一个用在预设真线性功率放大器中的6位数字移相器的工作原理和设计方法以及测试结果。该数字移相器采用PIN管作为开关元��