这款令人难以置信的TPA2012小型立体声放大器功能非常惊人强大,能够将2 x 2.1W通道传输到4欧姆阻抗扬声器中。TPA2012立体声2.1W D类音频放大器运行电压为DC2.7V-5.5V。由于放大器是D类,它的效率非常高(在1.5W下驱动8Ω扬声器时效率高达89%),非常适合便携式和电池供电的项目。且包括过热和过流保护功能,该板是基本的“LM386”放大器的欢迎升级!TPA2012立体声2.1W D类音频放大器实物截图: 该TPA2012立体声2.1W D类音频放大器的输入端口通过采用1.0uF电容,因此它们完全“差分” - 如果没有差分输出,只需将R-和L-连接到地。输出为“桥接” - 这意味着它们直接连接到输出,没有连接到地。输出是300KHz的方波PWM,然后由扬声器线圈“平均” - 没有听到高频。所有这些意味着您不能将输出连接到另一个放大器,它应该直接驱动扬声器。 注意:截至2016年5月23日,使用TPA2012而不是TS2012。这是一个总体等效的部分,功率输出略低。99%的项目可以互换使用。TS2012已停产! TPA2012立体声2.1W D类音频放大器参数如下: 输出功率:2.1W,4Ω,10%THD,1.4W,8Ω,10%THD,5V供电 PSRR:77 dB typ @ 217 Hz,增益为6 dB 设计用于没有输出滤波器,当电线保持在2“-4”长 四个引脚可选增益:6dB,12dB,18dB和24dB。选择板载开关或通过设置G0和G1分支引脚 出色的点击和弹出式抑制功能 热关断保护 独立通道关机 低电流消耗:静态6mA静态,关断模式为1.5uA TPA2012立体声2.1W D类音频放大器电路 PCB截图:
2023-04-17 18:11:49 30.54MB 音频放大器 扬声器 tpa2012 电路方案
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本节通过一个 5.5GHz 低噪声放大器来讨论利用 Cadence IC 来进行低噪声放 大器原理图设计、仿真参数设置、版图绘制等基本方法和流程。 低噪声放大器的设计指标如下:  频率: 5.5GHz  增益: >15dB  噪声系数: <1.5dB  电压: 1.2V 本例选用 65nm CMOS 工艺来设计。
2023-04-08 13:53:04 3.15MB cadence LNA
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放大器设计cmos放大器设计经典中的经典不能不看 圣经宝典
2023-04-05 16:44:00 380KB cmos放大器设计
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本文设计的电路,采用衬底驱动技术,将电源电压降至0.8 V,同时电路结合了恒定跨导控制电路和改进型前馈式AB类输出级,能有效提高动态范围和响应速度,使电路输入级和输出级均达到轨至轨,非常适合低压低功耗模拟集成电路应用。
2023-03-31 17:30:44 262KB 低功耗 衬底驱动轨 至轨 运算放大器
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笔者设计了基于双电源±0.9V供电,功耗仅为3.5mW的电流反馈运算放大器。
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采用 0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz,小信号增益约为8.5 dB,1 dB压缩点输出功率约为21 dBm,功率附加效率最高能达到20%以上。
2023-03-16 16:50:13 469KB 分布式放大器
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0  引  言   随着微波通信技术的发展,人们对通信系统的要求越来越高,比如小型化、可靠性等,微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性,成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一,当前,PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。本文的功率放大器便是采用PHEMT工艺技术,设计要求工作频段在3~4 GHz左右,其工作带宽要求大于500 MHz,要求信号线性特性好
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近年来,随着社会信息化程度不断提高,信息交换量呈爆炸性增长,光纤通信干线系统以其高速、大容量的优点被广泛应用于电信网、计算机网络。2.5 Gb/s超高速光纤通信系统已经投入使用。作为光纤通信系统中光接收机的关键部分,前置放大器的性能在很大程度上决定了整个光接收机的性能。   过去,对于高速的集成电路,多采用GaAs工艺来实现。但是随着深亚微米CMOS工艺的不断发展,栅长不断减小,现在0.35μm CMOS管的截止频率已经达到13.5 GHz,可以实现高速的集成电路。本文采用台湾TSMC0.35μmCMOS工艺实现了用于光纤传输系统STM- 16 (2.5Gb/s)速率级的前置放大器。  
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采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度为73.7°,可稳定工作在10Gb/s速率。芯片面积为0.54mm×0.74mm。
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https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/121275793 基于multisim的晶体管放大器设计资源
2023-03-12 12:00:41 3.84MB 电路
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