ADS学习笔记 2. 低噪声放大器设计-DataSheet:ATF54143(LNA)

上传者: u014087103 | 上传时间: 2025-05-06 16:02:28 | 文件大小: 160KB | 文件类型: PDF
ADS学习笔记 2. 低噪声放大器设计-DataSheet:ATF54143(LNA) 一、引言 Agilent ATF-54143是一款高动态范围、低噪声、E-PHEMT器件,封装在小型塑料表面贴装SC-70(SOT-343)4引脚中。由于其高增益、高线性度和低噪声特性,它特别适合于450 MHz到6 GHz频率范围内的蜂窝/PCS基站、MMDS以及其他系统的低噪声放大器设计。 二、产品特性 1. 高线性度性能:该器件在保持高增益的同时,还能提供出色的线性度。 2. 增强型模式技术[1]:此技术要求正的栅源电压(Vgs),因此可以避免与传统耗尽模式设备相关的负栅压。 3. 低噪声系数:在典型的2 GHz工作频率下,噪声系数为0.5 dB,非常适合低噪声应用。 4. 优秀的规格一致性:确保不同产品之间的性能稳定。 5. 800微米栅宽:较大的栅宽有助于增加增益和功率容量。 6. 低成本表面贴装小型塑料封装SOT-343(4引脚SC-70):易于与现代制造流程兼容。 7. 可选的贴带和卷带包装:适合自动化表面贴装生产线。 三、性能参数 1. 工作频率:在2 GHz下典型工作,但适用范围更广。 2. 工作电压:3V,工作电流为60 mA(典型值)。 3. 输出三阶交调点:典型值为36.2 dBm。 4. 1 dB增益压缩点输出功率:20.4 dBm。 5. 噪声系数:0.5 dB。 6. 相关增益:16.6 dB。 四、应用场景 ATF-54143的应用领域包括: 1. 蜂窝/PCS基站的低噪声放大器。 2. WLAN、WLL/RLL和MMDS应用的低噪声放大器(LNA)。 3. 其他超低噪声应用的通用离散E-PHEMT。 五、封装和标记 ATF-54143采用SOT-343封装。引脚连接和封装标记如下图所示: ``` SOURCEDRAIN GATE SOURCE4Fx ``` 【顶部视图】。封装标记提供了器件的方向和标识,其中“4F”表示设备代码,“x”表示制造月份的日期代码字符。 六、绝对最大额定值 为避免永久性损坏,操作器件时不得超过下述任何一项参数: 1. 漏极-源极电压(VDS):5V。 2. 栅极-源极电压(VGS):-5 到 1V。 3. 栅漏电压(VGD):5V。 4. 漏极电流(IDS):120 mA。 5. 总功率耗散(Pdiss):360 mW(在源极引线温度为25°C时)。 6. RF输入功率:最大10 dBm。 7. 栅源电流(IGS):2 mA。 8. 通道温度(TC):150°C。 9. 存储温度(TSTG):-65 到 150°C。 10. 热阻(θjc):162°C/W。 请注意,上述参数是在直流静态条件下假设的,且源极引线温度为25°C。当源极引线温度超过25°C时,需要进行降额处理。 七、注意事项 1. 超过这些参数的任何操作都可能导致永久性损坏。 2. 最大RF输入功率测试基于无调制的连续波输入信号。 3. 如果超出规格范围,可能不会损坏器件,但规格无法保证。 以上内容均基于DataSheet ATF54143的数据信息,详细情况请参照原厂手册或相关数据资料。

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