提出了一种利用简单结构实现高阶指数曲率补偿和高电源电压抑制比的带隙基准电压源。利用正温度系数的反向饱和电流IS和双极型晶体管正向导通时的电流增益β以及Trimming修条电阻实现温度补偿，同时采用Wilson电流镜和电压负反馈技术来提高PSRR。仿真结果表明，该基准电压源达到了6.9 ppm/℃的温度系数，低频时PSRR最高达92 dB和39.3 ppm/V的线性调整率。

毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap

本文采用自偏压电流源电路，去掉运算放大器，利用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流，得到了在-20～+80℃温度范围内具有3×10-6？℃的温度系数的基准电压。

电压基准在模拟电路中提供一个受电源或温度等影响较小的参考电压，以保证整个电路正常工作。设计了一种低温漂低功耗带隙基准电压源，采用不受电源影响的串联电流镜做偏置，利用PTAT电压的正向温度系数和基极发射极电压的负向温度系数特性，以适当的系数加权构造零温度系数的电压量。该设计避开了运放的应用，结构简易，原理清晰，便于入门级的同学在短时间内学习掌握。0～70 ℃范围内，温漂系数为16.4 ppm/℃。供电电压在5～6 V范围内变化时，电源抑制比达57.7 dB。总输出噪声为140.3 μV，功耗为300.6 μW。

基准电压源、运放、电流源、ADC、DAC、PLL锁相环cadence模拟ic仿真工程实例，可以做为你的学习参考。

一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够提供系统要求的基准电压或电流，而且具有功耗很小、高集成度和设计简便等优点，广泛应用于模拟集成电路和混

本文主要讲了tl431基准电压原理结构图，下面一起来学习一下

虽然基准电压源只是双端或3端器件，但是选择合适的基准电压源并正确应用比我们最初的设想难度更大。尽管“精度”一词通常用来描述基准电压源，但太过随意地使用这个词风险较大，因为不同的人对它有不同的理解。更令人费解的是，在一种应用中被认为不怎么样的基准电压源，在另一种应用中则可能被认为是万能的。本应用笔记将为大家全面解读基准电压源“精度”，并提供一些利用任何基准电压源获得其最高性能的相关技巧。

设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。