基准电压源、运放、电流源、ADC、DAC、PLL锁相环cadence模拟ic仿真工程实例，可以做为你的学习参考。

一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够提供系统要求的基准电压或电流，而且具有功耗很小、高集成度和设计简便等优点，广泛应用于模拟集成电路和混

本文主要讲了tl431基准电压原理结构图，下面一起来学习一下

虽然基准电压源只是双端或3端器件，但是选择合适的基准电压源并正确应用比我们最初的设想难度更大。尽管“精度”一词通常用来描述基准电压源，但太过随意地使用这个词风险较大，因为不同的人对它有不同的理解。更令人费解的是，在一种应用中被认为不怎么样的基准电压源，在另一种应用中则可能被认为是万能的。本应用笔记将为大家全面解读基准电压源“精度”，并提供一些利用任何基准电压源获得其最高性能的相关技巧。

设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

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