GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序

CY7C68013器件中文手册.pdf usb芯片初学者可以看看

BGA是PCB上常用的组件，通常CPU、NORTH BRIDGE、SOUTH BRIDGE、AGP CHIP、CARD BUS CHIP…等，大多是以bga的型式包装，简言之，80﹪的高频信号及特殊信号将会由这类型的package内拉出。因此，如何处理BGA package的走线，对重要信号会有很大的影响。

具有APB-BFM的DAC和ADC模型的UVM验证 这是一个小组项目。 具有APB BFM（总线功能模型）的UVM验证，已连接到两个只读DAC和两个只读ADC从器件。 该序列生成地址，并允许驱动程序告诉BFM选择哪个从站。 随后，四个监视器和记分板记录每个从站的测试结果。 top.sv顶部模块，包括测试，序列项，定序器和驱动程序 seq.svh序列 bfm_env.svh总线功能模型作为环境 intf.svh dac介面 adc_intf.svh adc接口 dac.sv给定的dac adc.sv给定的adc monitor1.svh DAC1监视器 monitor2_dac.svh DAC2监视器 monitor1_adc.svh ADC1监视器 monitor2_adc.svh ADC2监视器 记分板1.svh DAC1记分板 scoreboard2_dac.svh DAC2记分

本课件主要内容：一、课程简介与要求、二、MEMS发展历史、三、MEMS创新世界、四、中国 PK 世界等

GL3232S USB3.1转SD4.0 参考设计与器件封装

要介绍利用MaxplusII软件来实现VVVF控制SPWM变频调速的方法。设计中提出一种三相分时运算思路,详细阐明其具体实现方式。试验证明,CPLD应用于变频调速系统控制是非、常有效的,使用分时复用电路大大减少了CPLD使用逻辑门的数目。

1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制；GaN 功率管因其大功率容量等特点，成为发较快的宽禁带器件。GaN 功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势，已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好的使用前景。GaN 大功率的输出都是采用增加管芯总栅宽的方法来提高器件的功率输出，这样使得管芯输入、输出阻抗变得很低，引入线及管壳寄生参数对性能的影响很大，一致直接采用管壳外的匹配方法无法得到大的功率输出甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引

现在各类数码产品的功能越来越强大，而电路板却越来越小，集成度越来越高。并都或多或少的装有部分接口用于人机交互，这样就存在着人体静电放电的ESD问题。一般数码产品中需要进行ESD防护的部位有：USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数据传输接口。

ESD静电二极管有一个额定的电压，而且响应速度特别快，对静电有很好的泄放作用。例如对于USB接口，VCC和外壳地之间并接5V的ESD静电二极管。相当于把电源和地钳位在5V以内，这样可以有效地把静电电流导向地，达到效果很明显。