是一个IGBT的驱动电路设计，包含退保和过流保护电路。本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成IGBT驱动电路和过流保护电路。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性 。
2021-11-14 16:03:59
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SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅。由于蓝宝石和硅的晶格结构的不完全相同导致硅外延层中缺陷密度高，在外延的界面处产生应力和位错，并且蓝宝石非常昂贵，难以大规模生产，只是应用于军事和航天等领域。 氧离子注入隔离技术（SM
2021-09-29 22:44:44
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串联有源滤波器可在出现骤降/骤升和谐波的情况下调节负载两端的电压
2021-09-23 20:45:51
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行业制造-电动装置-用于家电功率器件倾斜或运动定时控制的传感器模块.zip
2021-09-18 19:02:56
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汽车与零配件行业：汽车半导体专题Ⅱ功率器件，SiC时代-20200315-海通证券-66页.pdf
2021-09-03 09:07:21
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