数据结构与 (java语言描述)第二版(源代码) 【原 书 名】 Data Structures and Abstractions with Java (2nd Edition) 【原出版社】 Prentice Hall 【作  者】(美)Frank M.Carrano [同作者作品] 【译  者】 金名[同译者作品] 【丛 书 名】 世界著名计算机教材精选
2024-01-26 07:01:28 650KB 数据结构 算法分析 java
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Quartz2.X Oracle 表结构建表语句和字段注释,可用于Quartz的持久化配置
2024-01-24 18:11:05 11KB Quartz
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C# opc ua客户端实例源码,带ef6+sqlite。 代码有完整的注解,及包括所有的链接库和程序结构思维图。 纯学习资料
2024-01-24 16:22:34 582KB sqlite 课程资源
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当前,复杂网络已迅速形成了一门贯穿多领域的交叉性学科,其相关理论被应用于诸多领域.为了解复杂网络的研究现状,首先从复杂网络的定义与统计特性两个角度介绍了复杂网络的基本概念,然后列举了几种典型的复杂网络模型,以及在此基础上对其进行改进后所建立的模型并讨论其优缺点,围绕复杂网络结构特性与网络动力学两个方面进一步分析了当前复杂网络的研究现状并列举了近几年的研究成果,最后得出结论并对复杂网络未来的热点研究方向做出展望.
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基于ASP技术的《数据结构》精品课程多媒体网络教学平台设计与实现毕业论文.doc
2024-01-20 13:21:35 1.49MB
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HIS接口数据结构说明-住院,对HIS接口详细描述!
2024-01-19 10:43:06 71KB HIS接口
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2. 利用教材中的Stack类,为其设计外部函数(非成员函数)实现下面delete_all功能,必要时可以使用临时的Stack对象。编写主函数测试delete_all函数,栈元素设定为字符类型即可。 template void delete_all(Stack &s, const T &x)——删除栈s中所有等于x的数据项,保持其他数据项顺序不变。 输入:input.txt,其第一个字符为x,其后按栈底到栈顶的顺序依次给出栈中字符,字符间用空格、回车或制表符间隔,如: a b a t a a e c 表示栈底栈顶内容为b a t a a e c,要删除内容为a 输出:删除后栈中字符内容,从栈顶到栈底的顺序即可,相邻元素间用空格间隔,最后一个元素之后不能有空格。最后输出一个回车。如上例,应为 ――――――――― c e t b ―――――――――――――
2024-01-18 15:22:04 1KB 数据结构 Stack类 delete_all
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1位的ALU单元在某些集成电路的设计中非常重要,本文提出了一种结构简单的高速,低功耗,低工作电压的ALU单元。在此设计中采用了XOR/XNOR结构,并加入了适当的缓冲电路,有效的提高了运算速度,并可以减少在级连中的阀值损失,同时还保持了较低的MOS管数量。通过HSPICE(CSMC 0.35um工艺)仿真,得了很好的特性。
2024-01-18 13:56:43 74KB 新ALU单元
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1、摘要 开关电源已经深入到国民经济的各个行业当中,设计师或是自行设计电源或是购买电源模块,但是这些电源都离不开电源的各种电路拓扑。本文先介绍了开关电源的三大基础拓扑:Buck、Boost、Buck-Boost,并就这三者拓扑之间进行了简单地组合,得到了非常巧妙的电路,例如:正负输出电源、双向电源等,能够满足诸如运放供电、电池充放电等某些特殊的需求。 2、开关电源基础拓扑 开关电源三大基础拓扑为:Buck、Boost、Buck-Boost,大部分开关电源都是采用这几种基础拓扑或者其对应的隔离方式,下面以电感连续模式进行简单介绍。 2.1Buck降压型 Buck降压型电路拓扑,有时又称为Step-down电路,其典型的电路结构如下图1所示: Buck电路的工作原理为: 当PWM驱动高电平使得NMOS管T导通的时候,忽略MOS管的导通压降,等效如图2,电感电流呈线性上升,MOS导通时电感正向伏秒为: 当PWM驱动低电平的时候,MOS管截止,电感电流不能突变,经过续流二极管形成回路(忽略二极管电压),给输出负载供电,此时电感电流下降,如下图3所示,MO
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1.概述MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR, 但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N
2024-01-17 22:25:30 274KB MOSFET 工作原理 场效应管
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