第4章存储器 11.一个8K8位的动态RAM芯片,其内部结构 排列成256256形式,存取周期为0.1s试问采用 集中刷新分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔 各为多少? 解:采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中 刷新死时间为:2560.1ps=25.6s 采用分散刷新方式刷新间隔为: 256(0.1卩s+0.1s)=51.2s 采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms 15.设CPU共有16根地
2022-09-19 23:10:37
6.97MB
一、实验目的：
1、了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；
2、了解半导体存储器怎样存储和读取数据；
3、了解双端口存储器怎样并行读写；
4、熟悉TEC-8模型计算机中存储器部分的数据通路。
二、实验仪器设备及实验环境：
1、TEC-8实验系统
2、逻辑测试笔
3、实验环境：组成原理实验室
三、本实验所需信号
双端口存储器实验电路图
名称 功能说明
SBUS =1时，数据开关SD7～SD0的数送数据总线DBUS
MBUS =1时，将双端口RAM的左端口数据送到数据总线DBUS
LAR =1时，在T3的上升沿，将数据总线DBUS上的D7～D0写入地址寄存器AR
LPC 当它为1时，在T3的上升沿，将数据总线DBUS上的D7～D0写入程序计数器PC
MEMW =1时，在T2为1期间将数据总线DBUS上的D7～D0写入双端口RAM写入的存储器单元有AR7～AR0指定
ARINC =1时，在T3的上升沿，AR加1
PCINC =1时，在T3的上升沿，PC加1
四、微程序控制方式下实验步骤设计：
1、微程序控制方式下，由控制器
2022-09-16 19:05:02
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一、实验目的：
1、熟悉双端口通用寄存器组的读写操作；
2、熟悉运算器的数据传送通路；
3、验证74LS181的加、减、与、或功能；
4、按给定的数据，完成几种指定的算术、逻辑运算。
二、实验仪器设备及实验环境：
1、TEC-8实验系统
2、逻辑测试笔
3、实验环境：组成原理实验室
三、实验信号说明
名称 功能说明
S0、S1、S2、S3 控制74LS181的运算类型
CIN 低位74LS181的进位输入
SEL3、SEL2 选择送ALU的A端口的寄存器
SEL1、SEL0 选择送ALU的B端口的寄存器
SBUS =1时，将运算结果送数据总线DBUS
=0时，禁止运算结果送数据总线DBUS
ABUS =1时，将运算结果送数据总线DBUS
=0时，禁止运算结果送数据总线DBUS
M 运算模式:M=0为算术运算，M=1逻辑运算
LDZ =1时，如果运算结果为0，在T3的上升沿，将1写入到Z标志寄存器；如果运算结果不为0，将0保存到Z标志寄存器
LDC =1时，在T3的上升沿将运算得到的金威保存到C标志寄存器
A7~A0 送往ALU的A端口的数
B7~B0 送往ALU的B端口的数
2022-09-16 19:05:01
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一、实验目的：
1、进一步熟悉TEC-8模型计算机的数据通路结构
2、进一步掌握数据通路中各个控制信号的作用和用法
3、掌握数据通路中数据流动的路径
二、实验仪器设备及实验环境：
1、TEC-8实验系统
2、实验环境：硬件实验室
三、实验任务
1、将数75H写到寄存器R0，数28H写到寄存器R1，数89H写到寄存器R2，数32H写到寄存器R3。
2、将寄存器R0中的数写入存储器20H单元，将寄存器R1中的数写入存储器21H单元，将寄存器R2中的数写入存储器22H单元，将寄存器R3中的数写入存储器23H单元。
3、从存储器20H单元读出数据到存储器R3，从存储器21H单元读出数到寄存器R2，从存储器21H单元读出数到寄存器R1，从存储器23H单元读出数据到寄存器R0。
4、显示4个寄存器R0、R1、R2、R3的值，检查数据传送是否正确。
四、微程序控制方式实验步骤设计
准备工作：将控制转换开关拨到下面“微程序”位置，打开电源，按一次复位按钮CLR，使实验系统复位。
指示灯µA5~µA0显示“000000”，将操作模式开关设为“1111”，准备进入数据通路控制实验。
2022-09-16 19:05:00
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