双极型与MOS半导体器件原理 1.半导体器件的物理基础 2.p-n结 3.晶体管的直流特性 4.晶体管的频率特性和功率特性 5.晶体管的开关特性 6.半导体表面特性及MOS电容 7.MOS场效应晶体管的基本特性 8.MOS功率场效应晶体管的结构和特性 9.小尺寸MOS器件的特性 欢迎大家共享资源。

本设计MOS管STP75NF75 H桥驱动仿真电路在48V直流电机驱动上使用非常普遍。该分立元件STP75NF75MOS管驱动电路适用频率可达30kHz左右，稳定可靠，在成本局限的产品上可代替IR21XX驱动IC。这个电路已经经历了多年的商业化检验，保证你按照电路里的参数制作就可正常工作。MOS管STP75NF75 H桥驱动仿真电路截图: 制作时要注意以下几点: 1）如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。 2）自举电容C5 C6要使用低漏电的。 3）D5 D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。 4）主滤波电容C11 C12必须是高频低阻电容，否则纹波容易引起发烫。 5）C9 C10耐压应是电源的至少一倍。 6）注意布线！！！尤其是高频部分（参考IR的一系列布线文档） 7）由于使用了自举电路，启动时必须先开下桥再开上桥（PWM只能在下桥上加，上桥只加开关信号）；而且PWM不能大于95%，否则重载启动、短路测试时烧你没商量（这点连IR21XX也是一样）。

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基于光耦控制N沟道MOS管控制电路，电路采用低导通，基于STM32引脚设计-------原理图文件

电源换启动电路，MOS管实现，摩托罗拉公司案例手册。

适用于模拟集成电路相关方向电路原理图的绘制，可通过我的形状直接导入使用，手感极佳。

对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小）

Yannis Tsividis ，第3版，mos晶体管建模

MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）