通信技术基础理论 :第1章 电磁学与电子器件发展史.pptx
2022-05-27 14:05:49 5.01MB 文档资料
现代半导体器件物理 中文课件ppt很好 由于较大分为3部分上传
2022-05-25 20:35:42 19.07MB 现代半导体器件物理 中文课件ppt
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新一代工艺及器件仿真工具
STM32F103C8T6器件手册
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STM32F103C8T6器件手册英文版
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SN74HC595器件手册
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SGP30甲醛二氧化碳传感器
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C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单片机 项目4-I2C总线器件应用 (仿真文件+程序包)C51单
2022-05-24 14:06:31 198KB C51单片机项目4-I2C总线
研究了垂直向列型彩色滤光膜硅覆液晶(VA CF-LCoS) 微显示器件,并利用其三维光学模型,改变液晶器件的预倾角、像素尺寸等参数,优化了微小像素中的边缘电场效应。为进一步优化器件的性能,建立了以圆偏振光作为入射光源的微显示器件的三维光学模型。研究结果表明:当以圆偏振光作为照明光源时,VA CF-LCoS微显示器件的光学反射效率可得到大幅提升。由于采用了三维光学模型的分析方法,得到了与利用二维光学模型进行分析时完全不同的结论:优化只能使得边缘场效应导致的亮态子像素内部黑线减小,而不能彻底消除它。
2022-05-24 10:29:55 8.92MB 光学器件 彩色滤光 硅覆液晶 垂直向列
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MEMS技术最早由Richard Pfeynman(1965年获得诺贝尔物理奖),在1959年提出设想。1962年硅微型压力传感器问世。1979年Roylance和Angell开始压阻式微加速计的研制。1991年Cole开始电容式微加速度计的研制。   惯性传感器包括加速度计(或加速度传感计)和角速度传感器(陀螺)以及它们的单、双、三轴组合IMU(惯性测量单元),AHRS(包括磁传感器的姿态参考系统)。
2022-05-22 14:39:44 80KB 传感器与数据采集
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