数字集成电路设计透视_ppt1.rar,欢迎交流与学习。
2022-05-09 10:52:18 16.91MB 电路
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拉扎维的模拟cmos中文版,学习模拟电路必看,讲的特别详细,对入门和提高都有帮助,本压缩包提供2018版和2003版,以及课后习题答案共三个文件,感兴趣的同学可以下载
2022-05-08 16:05:06 254.11MB 模拟电路 cmos 拉扎维 集成电路
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电子信息导论02__集成电路
2022-05-08 09:05:27 4.71MB 综合资源
CMOS集成电路原理与设计,集成电路基础经典书籍之一,跟大家分享
2022-05-06 20:02:25 7.04MB 书籍教程-程序语言
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CMOS版图设计教材
2022-05-05 14:26:22 5.93MB s'd  a's'
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120秒倒计时音乐提醒器、电子技术,开发板制作交流
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随着微电子电路工程领域的出现和实质性的进步,电子产品在日常生活中的广泛应用才得以实现。可以在今天开发的微电子电路的类型在物理上小的封装内提供复杂的电路行为。诸如笔记本电脑,移动电话和个人数字助理(PDA)等高价值,高功能便携式电子系统的出现证明了这一点。自从1947年由贝尔实验室(美国)的Bardeen,Brattain和Shockley成功演示晶体管以来,半个多世纪以来,制造包含数百万个晶体管的微电子电路的能力是一项了不起的成就。随着设计复杂性和操作速度的提高,以及为了进一步降低产品成本而改进所使用的工程过程的需求,导致设备设计,制造和测试的所有方面的改进。本书旨在识别和讨论测试工程领域。
2022-04-27 11:25:17 2.72MB 集成电路测试
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NMOS的掩膜和典型工艺流程 * Mask 确定对象 工艺流程 出发点 P型掺杂硅晶圆(=75-200mm),生长1m厚氧化层, 涂感光胶 (Photoresist) 1 有源区 紫外曝光使透光处光胶聚合, 去除未聚合处(有源区)光胶, 刻蚀(eching)氧化层, 薄氧化层(thinox)形成, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 2 离子注入区 曝光, 除未聚合光胶, 耗尽型NMOS有源区离子注入, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 3 多晶硅线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 多晶硅刻蚀, 去除无多晶硅覆盖的薄氧化层,以多晶硅为掩膜进行n扩散,漏源区相对于栅结构自对准,再生长厚氧化层, 涂感光胶 4 接触孔窗口(Contacts cut) 曝光, 除未聚合光胶, 接触孔刻蚀, 淀积金属层, 涂感光胶 5 金属层线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 金属层刻蚀, 钝化玻璃层形成, 涂感光胶 6 焊盘窗口(Bonding pads) 曝光, 除未聚合光胶, 钝化玻璃层刻蚀
2022-04-26 14:55:38 2.39MB ic 微电子
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TL494是美国德州仪器生产的一种电压驱动型脉宽调制控制集成电路,应用于多种开关电源中。本次介绍它与相应输入、输出电路等构成单回路的控制器。 开关集成电路TL494内部原理图     1、TL494管脚配置及其功能     TL494的内部电路由基准电压产生电路、振荡电路、间歇期调整电路、两个误差放大器、脉宽调制比较器以及输出电路等组成。图1是它的管脚图,其中1、2脚是误差放大器I的同相和反相输入端;3脚是相位校正和增益控制;4脚为间歇期调理,其上加0~3.3V电压时可使截止时间从2%线怀变化到100%;5、6脚分别用于外接振荡电阻和振荡电容;7脚为接地端;8、9脚和11、10脚
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本文档的主要内容详细介绍的是LM393双电压比较器集成电路的详细资料说明。电压比较器就是将一个连续变化的输入电压与基准电压进行比较,输出高电平和低电平。
2022-04-22 10:39:18 4.57MB 模拟/电源
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