高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力，能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相关元素之外，并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义，提供使用更先进的MOSFET取代旧型MOSFET的经验法则，并探讨在设计中利用新型MOSFET来获得更低RDS(on) 与更低闸极电荷的指引。
2021-07-12 17:16:11
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该仿真文件是使用 IGBT/二极管的单相全桥逆变器。 T2、T2导通（触发）时负载电压为Vs，T3、T4导通时负载电压为-Vs。 输出电压的频率可以通过改变周期时间 T 来控制。 晶闸管T1、T2跨源串联； 晶闸管 T1、T4 或 T3、T4 也串联在源极上。 逆变器运行时，应确保同一支路中的两个可控硅，如图中的T1、T2，不要同时导通，否则会导致电源直接短路。 半桥逆变器的主要缺点是它需要 3 线直流电源。 这个困难可以通过使用全桥逆变器来克服。
2021-07-09 13:36:01
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电子行业周报：新能源汽车产销出现拐点，上游IGBT国产化需求有望进一步提升.pdf
2021-07-08 21:04:48
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O 引言 自MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁T扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力，提高驱动耐压等级。于是，光纤的使用也就成为了必然。
1 ICBT驱动的几种方式 不同功率等级的IGBT，对驱动的要求不尽相同，表1给出了目前常用的几种驱动方式的比较。
由表l可知，在大功率电力变换装置中只能使用变压器或光纤隔离，其中尤以光纤隔离为最佳选择。
2 光纤收发器的
2021-07-06 10:45:05
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随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁干扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力，提高驱动耐压等级。于是，光纤的使用也就成为了必然。
2021-07-06 10:44:09
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IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。
2021-07-04 20:18:10
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