电工电子技术基础

1 引 言 　　低噪声放大器(LNA)位于射频接收机的前端，其主要功能是对微弱信号进行低噪声放大。在低噪声放大器的设计过程中，要综合考虑其放大能力、噪声系数和匹配等因素，这需要大量的理论计算和smith圆图分析，给设计工作带来困难。 　　Advanced Design System(ADS)软件是Agilent公司在HPEESOF系列EDA软件基础上发展完善的综合设计软件，内含很多进行小信号放大器设计的控件，能实现大量的计算和smith圆图分析。以下将介绍如何利用ADS设计和仿真低噪声放大器。 　　2 低噪声放大器的设计理论 　　图1是放大器电路原理框图，其中r 表示源反射系数，r 表

这是放大器的低音，高音，中音和音量控制板。我为此项目使用了4558d ic。 项目材料 1个4558 IC 1个7812集成电路 1个7912集成电路 2pcs.1K电阻 4pcs.4.7K电阻 2pcs.100K电阻 2个220K电阻 1个3.3K电阻 2个1uf50v电容器 2个2.2uf50v电容器 2个100uf25v电容器 4个470pf电容器= 471 2个4700pf电容器= 472 2个0.1uf电容器= 104 1个47K电位器 3个100K电位器 板子说明: 2层PCB 42 x 127毫米FR-4，1.6毫米，1，带铅的HASL，紫色阻焊剂，白色丝印

反相放大电路具有放大输入信号并反相输出的功能。“反相”的意思是正、负号颠倒。反相放大器是一个电流并联负反馈放大器，信号输入到运算放大器的反相输入端，输出电压的一部分通过反馈到运放的反相输入端，构成电流并联负反馈放大电路。其输入信号只有差模信号、抗干扰能力强。

为了在更高的电源电压下工作，并便于匹配网络的设计，电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz，并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。

CMOS射频功率放大器，基于0.18um的库文件，需要的可以看下，个人认为比较有用

运算放大器的各项参数设计选型，希望可以帮助到各位硬件设计工程师们。

宽带放大器与集中选频放大器

以AT89S51单片机和FPGA为控制核心,利用可编程增益放大器THS7001和可变增益放大器AD603,设计一种可编程精密宽带放大器。测试结果表明:该可编程宽带放大器的增益范围为-6～70 dB,通频带为40 Hz～15 MHz,低噪声,并具有自动增益控制功能,动态范围达60 dB。

这里给出了 一个 50～300MHz 的低噪声宽带放大器的设计，该放大器在工作频段内具有优良的增益平坦度和噪声系数，能提高接收机的灵敏度。 　　1 宽带实现和负反馈原理 　　宽带放大器设计的主要障碍是有源器件的增益带宽积的制约，即有源器件的增益在频率高端随着频率的增加以6dB/倍频程下降。 宽带放大器常用的设计方法有：  平衡结构式放大器，负反馈式放大器， 有源匹配电路， 电抗网络匹配， 宽带电阻匹配， 分布式放大器等。 其中负反馈式放大器具有如下明显的优点：降低整个电路对晶  体管自身性能变化的敏感度；获得较好的输入阻抗匹配和较低的噪声系数； 增大工作频带内放大器的稳