基于Levenberg-Marquardt和频谱外推的鲁棒快速迭代算法，用于RF功率放大器的宽带数字预失真

有12864 和单片机80C51相连做功率放大器 低频功率放大器设计与制作报告

含版图和版图原理图联合仿真，参考链接https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/123112605。 增益约为19db，最高效率PAE大于50%，中心频率1850Mhz。含版图联合仿真。

功率放大器在家电、数码产品等领域中的应用十分广泛，用户对其性能要求也越来越高。本文以AT89C51单片机作为低频功率放大器的控制核心，硬件电路设计由电压放大电路模块、滤波电路模块和功率放大模块组成。系统先将小信号进行放大，再经过数模转换处理将信号送入单片机，利用单片机控制功率放大电路，调整功率实时变化，达到低频功率放大的目的。最后对系统进行测试，结果表明，所设计的系统频率响应较好，在输出功率以及功放增益、整机效率方面均满足设计要求。

宽带高速数字预失真FPGA实现程序设计，董明洋，高锦春，本文在射频收发硬件平台的基础上，对功率放大器数字预失真关键技术进行了研究，并在FPGA中进行了数字预失真的实现。本文研究了只��

1.调谐功率放大器的三种工作状态 根据调谐功率放大器在工作时是否进入进入饱和区，可将放大器的工作状态分为欠压、过压和临界三种。 1)欠压——若晶体管在任何时刻都工作在放大状态，称放大器工作在欠压状态； 2)临界——若刚刚进入饱和区的边缘，称放大器工作在临界状态； 3)过压——若晶体管工作时有部分时间进入饱和区，则称放大器工作在过压状态。 二、调谐功率放大器的三种工作状态及其判别方法

射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOSI艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAs和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合。   本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs三种工艺。（1）由SMIC0．18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2．4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20％，芯片面积为1．4mm*0．96mm；（2）由IBM5PAE0．35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5．25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3．3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15％，最大饱和输出功率为29．5dBm，芯片面积为1．56mm*1．2mm；（3）由WIN0．15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27～32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率P1dB26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29．9dBm且PAE大子25％，芯片面积为2．76mm*1．15mm。论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程。对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

介绍了ABDCDEFGH等类型的功放设计方法，分析透测

基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路、电子技术,开发板制作交流

本书中的技术描述、程序和计算机程序都是经过精心编写的，它们在广泛的应用中对作者很有用; 作者和编辑的《无线通信射频功率放大器,第二版,