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MOS管对于感性负载的驱动性能测试

ORing+MOSFET控制电路及电源并联系统.pdf.zip

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点．研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点．为确定电容时间常数．采用非交叠(nonoverlapping)时钟控制信号．避免了由于时钟交叠而造成的电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOSFET的电容模型．通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度．使转换效率得到明显提高。此电路结构简单、性能代良、易于集成．可广泛应用于输出负电压的电源产品中。

MOSFET参数理解及测试项目方法.pdfpdf,MOSFET参数理解及测试项目方法.pdf

第五章光学像差仿真 (4)像散 像散的仿真干涉图样如图5．12和图5．13所示，仿真中选取C=2。从式(5．2．1) 中可得像散的表达式为 OPD=(c+Dh2+(3c+o)y2 (5．2．2) 若D=0，可得到匹茨瓦(Petzval)焦点；若c+D=0，可得到径向焦点：若3C+D=0， 可得到子午焦点；若c+D=．(3C．卜D)，即D=．2C，可得到平均焦点。 图5．12表示在匹茨瓦焦点处各方向有倾斜(庐F_±3)时的仿真干涉图样。图5．13 至图5．15分别表示在径向焦点，平均焦点及在子午焦点处有组合倾斜时的仿真干涉图 样。 (5)组合像差 组合像差的仿真干涉图样如图5．16所示，其中图5．16a是球差和彗差组合的干涉 图样，图5．16b为球差和像散组合的干涉图样，图5．16c为在图5．16b组合Y轴倾斜的 干涉图样，图5．16d为在图5．16c组合慧差的干涉图样，图5．16e为慧差和像散组合的 干涉图样，图5．16f为所有像差都存在时的干涉图样。 图5．16组合像差干涉图样 5．2．4像差对干涉条纹的影响 第三章曾详细讨论过两列球面波在不同观察平面的干涉图样。如果将上述的像差 引入到其中任一光波上，其波前会因为像差引起的位相而发生变化，与另一点光源发 出的球面波迭加干涉产生的干涉条纹也将因此而发生变化。图5．17所示为干涉直条纹 加Y方向的倾斜 加离焦像差 加Y方向的像散加x方向的彗差 加初级球差 图5．17加不同像差后产生变化的平行直干涉条纹 上排为有像差的波面等高线，下排为干涉圈样

如何进行MOSFET升降压斩波电路设计doc,降压斩波电路的原理图以及工作波形如图2所示。该电路使用一个全控型器件 V，图中为MOSFET。为在MOSFET关断时给负载中电感电流提供通道，设置了续流二极管VD。斩波电路主要用于电子电路的供电电源，也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等。

L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V 计算式 这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 根据以上得到 计算式 因此根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。 等效驱动电路图 分别考虑20m长m和70mm长的走线： L20=30nH，L70=80nH， 则Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω， 以下分别是电压电流波形： 电压电流波形 可以看到当Rg比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L越大越明显，此时会对MOSFET及其他器件性能

MOSFET--最详细的介绍

最详细的MOSFET工艺原理介绍