产生零点漂移的原因很多，任何元件参数的变化（包括电压源电压的波动），都将造成输出电压漂移。实践证明，温度变化是产生零点漂移的主要原因，也是最难克服的因素，这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感，而温度又很难维持恒定。
2021-07-18 15:08:46
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晶体管共射极单管放大器 仿真模型 multisim 文件
使用multisim14软件制作，可供参考
2021-07-12 08:19:05
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基于Labview的keithley万用表电池效率、电阻、薄膜晶体管测试软件，九针串口连接，需预装Labview8.6以及VISA
2021-07-09 19:36:30
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来自mikrocontroller.net的著名晶体管测试器的小版本，具有NPN和PNP双极晶体管的自动检测功能，
N和P沟道MOSFET，JFET，二极管，双二极管，N和P-IGBT，晶闸管，三端双向可控硅开关，电阻和电容器。
2021-07-04 23:01:45
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摘要：氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管就是其中的两种解决方案。 这些器件与长寿命硅功率LDMOS mosfet和超结mosfet竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有显著的差异。 本文对两者进行了比较，并提供了一些事实，以帮助您为下一个设计做出决策。
2021-06-28 17:04:05
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