很详细的，功能已经实现，符合所有设计指标，老师给了优。报告图文并茂，是我几个星期的心血，自己下载看。

高频电子线路 课程设计 高频功率放大器

实验四 丙类功率放大器实验(1).docx

基于Multisim的160MHz功放，输入为160MHz的正弦波，功率可调。

这是一份很好的材料，对于电子专业的学生做课程设计很有帮助

1. 引言 　　本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 　　2．50MHz/250W射频功率放大器的设计 　　高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。 　　2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点

利用Multisim仿真理解 高频功率放大器原理电路

2021-2027全球与中国RF功率放大器和收发器市场现状及未来发展趋势.docx

8W瓦功率放大器通常由3部分组成：前置放大器，驱动放大器，末极功率放大器。 1. 前置放大器起匹配作用，其输入阻抗高（不小于10KΩ）,可以将前面的信号大部分吸收过去，输出阻抗低（几十Ω以下），可以将信号大部分传送出去。同时，它本身又是一种电流放大器，将输入的电压信号转化为电流信号，并给予适当的放大。 2. 驱动放大器起桥梁作用，它将前置放大器送来的电流信号作进一步放大，将其放大成中等功率的信号驱动末极功率放大器正常工作。如果没有取得放大器，末极功率放大器不可能送出大功率的声音信号。 3. 末极功率放大器起关键作用。它将驱动放大器送来的电流信号形成大功率信号，带动扬声器发声，它的技术指标决定了整个功率放大器的技术指标。

本文通过对射频功率放大器所采用的三种主要工艺技术进行的简要比较，指出未来的发展趋势在于采用SiGe工艺技术来制造射频功率放大器，这是无线电电子系统设计工程师需要关注的技术趋势。