电子科技大学 微波电子学 开卷考试，答案全在课件里面。

Nitridated \beta-Ga2O3 (100) substrate was investigated as the substrate for GaN epitaxial growth. The effects of nitridation temperature and surface roughness of \beta-Ga2O3 wafers on the formation of GaN were studied. It was found that the most optimized nitridation temperature was 900 oC, and hexagonal GaN with preferred orientation was produced on the well-polished wafer. The nitridation mechanism was also discussed.

由于制造工艺和生产条件的不同,光伏探测器的特征参量结品质因子和反向饱和电流有很大差别。提出一种PN结特征参量的间接测量方法,并对该测量方法所用的数值计算方法的收敛性进行数学证明。提出了两个使用开路电压和短路电流计算光电池PN结品质因子和反向饱和电流的简化解析计算公式。与迭代法的计算结果相比,使用简化解析计算公式得到的结品质因子和反向饱和电流的相对误差分别为0.03%和0.25%;与实验结果相比,使用迭代法计算结果的开路电压值的相对误差不小于0.3%。

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报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻槽工序实现了高质量、无裂纹的GaAs基外延层。制备的集成器件, 在波长1573.2 nm处, 获得了1.1 nm的光谱线宽以及9%的量子效率, 其中吸收层厚度为300 nm。

为研究一维光子晶体全反射隧穿效应的解析理论，利用多光束干涉理论推导出一维光子晶体的全反射隧穿导带频率满足的解析公式，从理论上解释了一维光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理。利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随周期数、入射角以及周期光学厚度的变化规律进行了解析研究。并与传输矩阵法的计算结果进行了比较，结果发现两种方法得出的结论是吻合的，从而证明了解析理论的正确性。解析理论便于对各参量间的依赖关系进行解析研究，弥补了一维光子晶体研究中数值计算方法的不足。

基于周期性畴反转铁电材料铌酸锂的电光效应，提出一种利用电光Pokels效应调制偏振态的二进制全光逻辑处理方案并进行了实验验证。当以偏振方向相互正交的两种线偏振光，分别表示光信号1的逻辑0和逻辑1时，信号光的偏振方向在一定的外加电场作用下，将在偏振面内旋转90°，从而实现两种偏振态即逻辑0和逻辑1的相互转换。在不加外电场的情况下，信号光的偏振方向不产生明显变化，从而实现可控逻辑非的功能。当以外加电场的电平信号来表示电信号2的逻辑0和逻辑1时，还能实现异或和同或的逻辑功能。相比于强度编码的方案，该偏振编码的方案对于信号的损耗很小，因此能够更方便地应用于多重级联系统，从而实现更复杂的逻辑功能。

储备池计算是一种适合处理时序信号的简单高效的机器学习算法。相比在传统电子计算机上用软件实现的方式, 储备池计算在光器件上的实现方式将更有利于超高速和超低功耗的信息处理。介绍了储备池计算的基本原理, 从输入层、储备池和输出层三个方面介绍了储备池计算硬件实现方案的研究进展, 指出了储备池计算硬件实现方案发展中存在的问题, 并展望了其未来发展趋势。

微波或光波导理论很好的资料，对于金属波导和介质波导比一般的教科书讲得清晰。

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