分析暗计数的来源,讨论温度及门控模式下各种参数对暗计数的影响,提出减小暗计数的有效方法。太低的温度不利于暗计数的减小,而应根据不同的 APD选择合适的温度并与门控技术结合来消除暗计数。偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择对后脉冲的消除起着关键的作用。

市场调研-中国基于CZT的辐射探测器市场现状及未来发展趋势.doc

碲锌镉(CdZnTe，CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一，基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。而大面积CZT像素探测器的快速发展以及对高能、大剂量X射线探测的需求，对CZT材料的质量和尺寸提出了更高的要求。本文从CZT晶体的基本物性参数入手，探讨了大尺寸CZT晶体生长的影响因素，对两种主要的CZT生长方法——布里奇曼法和移动加热器法的研究进展进行了综述。

图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W；cm＇时产生4.8 pA光电流，响应度为0.048 A/W。后者完全能够满足C

CM0S工艺是为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中，而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应（latch－up）及独立优化N沟和P沟器件，人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS，包含N阱、P阱、局部氧化硅（LOCal Oxidation of Silicon，Locos）隔离、N＋多晶硅栅，以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步： 　　（1）轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱

In0.53Ga0.47As / InP引脚光电探测器的仿真和优化

自然界的光大部分经过大气散射、折射和反射等过程，因此多为部分偏振光。偏振是光的一个重要信息，偏振探测可以把信息量从三维（光强、光谱和空间）扩充到七维（光强、光谱、空间、偏振度、偏振方位角、偏振椭率和旋转的方向）。任何目标在反射和发射电磁辐射的过程中都会表现出由它们自身特性（例如粗糙度、空隙度、含水量、构成材料的理化特性等）和光学基本定律（例如菲涅耳公式）所决定的偏振特性。

该AD7790电化学便携式气体探测器原理图/PCB/示例代码见附件内容下载。本设计是一款单电源、低噪声、便携式一氧化碳(CO)气体探测器。当然，对于检测或测量多种有毒气体浓度的便携式气体探测器，电化学传感器 能够提供多项优势。大多数传感器都是针对特定气体而设 计，可用分辨率小于气体浓度的百万分之一(1 ppm)。该电化学便携式气体探测器基于AD7790和AD5270设计，其电路示意图如下: 电化学便携式气体探测器电路采用ADA4528-2，它是一款双通道自稳零型放 大器，室温下的最大失调电压为2.5 µV，具有业界领先的 5.6 µV/√Hz电压噪声密度性能。此外，采用AD5270-20可编 程变阻器而非固定跨阻电阻，允许针对不同的气体传感器 系统进行快速原型制作，无需更改物料清单。 更多详细设计说明详见附件内容。AD7790电化学便携式气体探测器电路PCB板实物截图: AD7790电化学便携式气体探测器电路PCB截图: AD7790电化学便携式气体探测器有毒气体示例代码: 可能感兴趣的项目设计:使用电化学传感器的单电源、微功耗有毒气体探测器，https://www.cirmall.com/circuit/106/detail?3

针对国内长距离相干光通信接收系统采用单管探测器接收微弱信号噪声大、信噪比低等缺点，设计了一种应用于相干光通信系统的平衡探测器，运用两个PIN 管分别加跨阻放大器(TIA)，经过两个180°混频魔T 进行耦合相减，消除了大部分的激光器相对强度噪声(RIN)。搭建了测试平衡探测器的相干光通信系统，使本振光和信号光进行光混频，输出眼图显示通信状态良好。通过对比双管和单管的频谱图，进一步说明相干光通信系统的噪声通过这种平衡探测器得到了降低，系统的信噪比提高了大约10 dB，从而证明了该平衡探测器运用于相干光通信系统的可行性和优越性。

飞睿智能-爱希存在感应雷达产品使用说明