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本资源是新概念模拟电路的五本集合，新概念模拟电路-负反馈和运算放大器基础，新概念模拟电路-晶体管，新概念模拟电路-信号处理电路，新概念模拟电路-源电路-信号源和电源，新概念模拟电路-运放电路的频率特性和滤波器

射频振荡电路设计参考；尤其对于晶体振荡电路的分析，如皮尔斯振荡电路等电路的分析设计具有一定的参考价值

完整英文电子版 IEC 60747-7：2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7：Bipolar transistors(半导体器件 – 分立器件 – 第 7 部分：双极晶体管)。IEC 60747-7:2010+A1:2019 给出了适用于以下双极晶体管子类（不包括微波晶体管）的要求。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）； - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）； - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管； - 用于高速开关和电源开关应用的开关晶体管； - 电阻偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-4：2017 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4：Microwave diodes and transistors(半导体器件 - 分立器件 - 第四部分：微波二极管和晶体管)。IEC 60747-4:2007+A1:2017 规定了对下列各类分立器件的要求：可变电容二极管和快断二极管、混频器二极管和检测器二极管、雪崩二极管、枪形二极管、双极晶体管和场效应晶体管。

完整英文版 IEC 60747-5-7：2016 Semiconductor devices - Part 5-7：Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors（半导体器件 - 第5-7部分：光电器件 - 光电二极管和光电晶体管）。IEC 60747-5-7:2016规定了光电二极管（以下简称 "PD"）和光电三极管（以下简称 "PT"）的术语、基本额定值和特性以及测量方法。本标准取代了IEC 60747-5-1、IEC 60747-5-2和IEC 60747-5-3中描述的光电二极管和光电晶体管的条款，包括它们的修正案。IEC 60747-5-1、IEC 60747-5-2和IEC 60747-5-3，包括它们的修正案，由于重建，被IEC 60747-5-4、IEC 60747-5-5、IEC 60747-5-6和IEC 60747-5-7的出版物取代。

完整英文版 IEC 60747-7：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7：Bipolar transistors （半导体器件 - 分立器件 - 第7部分：双极晶体管 ）。IEC 60747-7:2010+A1:2019给出了适用于以下双极型晶体管的子类别的要求，不包括微波晶体管。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）。 - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）。 - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管。 - 用于高速开关和功率开关应用的开关晶体管。 - 电阻器偏置晶体管。