利用宽带保偏光纤光栅(PFBG)、普通有源光纤和窄带普通光纤光栅构成独立的谐振腔,且窄带普通光纤光栅的中心波长分别与保偏光纤光栅的一个反射峰波长对准,可以输出稳定的双波长/单波长的单偏振激光。利用这一思想,制成了基于非保偏有源掺杂光纤的单偏振双波长光纤激光器。实验结果表明,双波长同时激射时的激光消光比为 46.7 dB,单波长激光的消光比为59.6 dB,滤波出单波长测量其偏振度为98.5%。这种激光器在微波光子领域可用于在光域产生微波。

采用电子束沉积法在镁掺杂铌酸锂基底上镀制了多波段增透膜, 透射波段分别为1.064 μm, 1.4～1.6 μm和3.5～4.3 μm, 测量了薄膜在1064 nm多脉冲辐照下的损伤阈值, 以及无薄膜铌酸锂晶体本身的损伤阈值。结果表明, 镀膜之后, 晶体的损伤阈值较未镀膜样品明显提高。

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化性能。

全固态激光器被动锁模是产生超短脉冲的一种有效方法。在基于Nd3+掺杂激光材料被动锁模产生超短脉冲的研究中，无序晶体成为研究的热点。结合相关工作，总结了Nd3+掺杂无序晶体被动锁模激光器的研究现状，展望了Nd3+掺杂无序晶体在超强超短脉冲制备中的发展前景。

LDMOS器件设计中， 常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件， 围绕当获得最优的器件结构时， 其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究， 给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析， 发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终， 通过综合分析影响器件的关键因素， 得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。