采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道和Ce-4f电子轨道的共同作用引入了杂质能级，使得禁带宽度最小，吸收光谱发生红移；此外，Ce具有Ce4+和Ce3+两种可变价态，具有良好的电子迁移性质，阻止了电子和空穴之间的复合，预测了Ce/S共掺杂可提高TiO2的光催化性能。

全固态激光器被动锁模是产生超短脉冲的一种有效方法。在基于Nd3+掺杂激光材料被动锁模产生超短脉冲的研究中，无序晶体成为研究的热点。结合相关工作，总结了Nd3+掺杂无序晶体被动锁模激光器的研究现状，展望了Nd3+掺杂无序晶体在超强超短脉冲制备中的发展前景。

LDMOS器件设计中， 常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件， 围绕当获得最优的器件结构时， 其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究， 给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析， 发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终， 通过综合分析影响器件的关键因素， 得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。