华中科技大学计算机系副教授教学课件，共24讲，绝对经典，实用！

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信号与线性系统分析同步辅导及习题解析.pdf

信号与线性系统分析吴大正习题答案 答案

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东南大学信号与线性系统期末考试卷及其解答

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《信号与线性系统分析》第四版教学指导 吴大正版，和教材配套，可参考学习

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。