这项工作首先证明了基于电子束蒸发二氧化f（HfO2）的无杂质空位扩散（IFVD）诱导的量子阱混合（QWI）。 红光二极管激光晶片具有两个6纳米厚的GaInP量子阱和三个8纳米厚的AlGaInP量子势垒的有源区。 在200℃下在二极管激光晶片的表面上蒸发出135nm厚的HfO 2膜。 QWI过程是通过在不同温度下快速热退火（RTA）20 s引起的。 发现活性区域发射波长的强度和半峰全宽（FWHM）分别随着退火温度的升高而增加和降低。 当样品在1000°C退火时，HfO2 IFVD诱导的QWI发现蓝移为18 nm。 此外，基于活性区域中的浓度分布来计算扩散长度和扩散系数，并且扩散系数值高于Zn杂质扩散诱导的QWI中的结果。
2021-10-07 15:05:09
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介绍了液晶显示器（LCD）投影、数字光处理（DLP）投影和硅基液晶（LCOS）投影的显示原理及光学薄膜元件在投影中的应用情况，对隔红外紫外滤光片、二向色镜、减反射膜及偏振分束镜的光学性能作了详细分析。
2021-09-27 23:17:45
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半导体行业存在周期性，主要受两个因素影响，宏观经济和技术革新。1）宏观经济变化影响人们消费能力和意愿，通过下游市场需求影响整个行业景气 度；2）技术革新通过刺激下游消费意愿甚至强制改变市场格局。以2020年为锚，5G商用化、数据中心、物联网、智慧城市、汽车电子等一系列新技术 及市场需求做驱动，给予半导体行业新的动能。 半导体设备对行业周期变化敏感，行业周期性变化必然伴随产能的增减和产品的迭代。产能变化对应设备数量的变化，工艺变化对应设备的迭代，新一 轮增长周期有望带动设备需求。集成电路产业链主要包含电路设计、晶圆制造和封装测试三个部分，其中制造和封测环节与设备、材料息息相关。 半导体设备总市值
2021-09-22 17:09:41
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传输矩阵法，一般用来研究周期性分层介质中的传输特性。对于分层媒质的微分方程在特定条件下的解，最简单便捷的方式便是使用传输矩阵。传输矩阵法就是用矩阵的形式来描述电磁波在多层介质中的传播情况，在每一层介质中传播过程中的运动规律满足的Maxwell 方程组。
2021-09-16 17:03:26
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射频磁控溅射制备(In, Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质.docx
2021-09-15 09:58:16
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