ACS712 直流/交流电流测量传感器具有量程大、简单易用、体积小巧、无需焊接、精度较高等特点,可用于直流电流和交流电流的测量,电流测量最高值可达20A。该ACS712 传感器电路板在设计上做了高压隔离,确保使用的安全性。模块输出的电压线性对应测量电流,且接口为Gravity 3P接口,即插即用,方便实用。 引脚说明: 技术规格: 供电电压:5.0V 测量电流:0 ~ ±20A DC, 0 ~ 17A(RMS) AC 测量容忍电压:220V AC, 311V DC 相对误差:±3% 尺寸:39mm * 22mm *17mm 接口:Gravity PH2.0-3P 模拟口 重量:18g 示例代码,见附件下载: 函数功能说明:float readDCCurrent(int Pin) ,该函数用来测量直流电流。 float readACCurrent(int Pin) ,该函数用来测量交流电流,测得的是交流电流的有效值。 根据被测电流,选择相应的函数调用即可,不能两个函数同时调用。
2021-10-12 23:53:47 704KB 传感器 电流测量 acs712 电路方案
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RS232、RS485、RS422对比以及TTL转232电平应用电路,详细介绍了各种电平的差异,以及典型的TTL转232电平应用电路
2021-10-12 20:50:30 1.03MB RS232
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做毕业设计的好帮手,AD590温度传感器应用电路
2021-10-09 14:35:09 135KB AD590应用电路
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运放组成原理,运放在电路中的运用,同向放大器,反向放大器,电压比较器,电压跟随器,仪表放大器,加减法放大器,乘除法放大器
2021-10-05 15:04:36 7.11MB 运算放大器原理运放运用
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欢迎下载研华科技主题白皮书: 【AIoT】研华AIoT边缘智能及网关解决方案 [摘要] 物联网、大数据、云服务与人工智能,是产业数位转型的关键科技趋势,透过创新应用,将替各产业带来巨大商机与全新 局面。研华以坚强的硬件实力为基础,开发出多元软件服务。 https://www.eefocus.com/resource/advantech/index.p... STM32L475VGT6 物联网开发板,官方为之命名为IoT node。该IOT物联网开发板基于M24SR的动态NFC标签,带NFC印刷天线;同时支持BLE、NFC、SubGHz、Wi-Fi等。由于该STM32L475VGT6 物联网开发板支持Arduino Uno V3和PMOD连接,因此可提供无限的扩展能力,即提供海量的专用附加板选择。STM32L475VGT6 物联网开发板实物截图: 附件内容截图:
2021-09-27 16:12:17 11.43MB 物联网 stm32l475vgt6 m24sr 电路方案
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声光控传感器应用电路设计单片机课程设计报告书.doc
2021-09-25 12:03:03 84KB 文档
描述 此显示参考设计采用了 TI 的 DLP3010 (.3 720p) DMD 芯片组,旨在实现用于配件投影仪、可穿戴显示屏、标牌、工业和医疗显示屏的低功耗和超移动高清显示应用。此设计中使用的芯片组由 DLP3010 (.3 720p) DMD、DPC3438 显示控制器和 DLPA2005 PMIC/LED 驱动器组成。 特性 DLP3010 芯片组的参考设计;该芯片组由 DLP3010 DMD、DLPC3438 控制器和完全集成式 DLPA2005 PMIC/LED 驱动器组成 在 EVM 上实施的参考设计;该 EVM 包含生产就绪型光学引擎及适用于 RGB LED 的可编程 LED 驱动器(0 - 2.4 安培) 包含可连接任意显示设备(智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)的标准 HDMI 输入接口 使用简单但强大的基于 USB 的 GUI(用于运行时芯片组功能评估)进行快速入门 此参考设计经过测试,并实施在能通过 ti.com 订购的 EVM 上。此参考设计包含固件、GUI 和入门指南。
2021-09-19 18:10:37 7.08MB 开源 电路方案
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MOSFET栅极应用电路分析汇总,主要包含MOSFET知识及解决方案,共160+份文档。 一、MOSFET知识大全 MOSFET损耗计算 AN-6005_Switching_Loss_Calculation 大功率MOSFET的功耗计算 (核心)BoostPFC电路中开关器件的损耗分析与计算 (MCD)MOSFET开关损耗的计算 《MOSFET损耗计算》操作指导书 理解功率M0SFET的开关损耗1 张兴柱之MOSFET分析 AN-6005 dvdt引发的MOSFET误导通分析 MOSFET的损耗分析与工程近似计算 MOSFET损耗计算 MOSFET损耗详细计算过程 MOSFET计算公式 MOSFET温升计算工具 并联MOSFET的雪崩特性分析 功率MOSFET管并联应用时的电流分配问题研究 功率MOSFET教程 关于MOSFET驱动电阻值的计算 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量 理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量 IRF3205S中文资料 MOS管被击穿的原因及解决方案(全) MOS管击穿原因详析及各类解决方案 MOS管静电击穿的原因和防护措施 MOS管驱动电阻怎么选择 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能 MOSFET雪崩能量的应用考虑 MOSFET与IGBT的区别 功率MOSFET选型第一步:P管,还是N管 理解功率MOSFET管的电流 理解MOSFET的VTH:栅极感应电压尖峰 MOSFET的UIS及雪崩能量解析 MOSFET管驱动电路基础总结 (核心)功率MOSFET安全工作区SOA:真的安全 (核心)功率MOSFET的特性 (核心)MOSFET开关详细过程 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压 陈桥梁_开关电源中MOSFET失效案例分析 传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估 典型开关MOS电流波形的精细剖析 电力电子设备用器件与集成电路应用指南 读懂并理解MOSFET的Datasheet 反激式电源中MOSFET的钳位电路 飞利浦的功率MOS数据说明书 高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究 功率MOSFET并联驱动特性分析 功率MOSFET的封装失效分析 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析 功率MOSFET的结构与特点 功率MOSFET的特性 功率MOSFET的栅极电荷特性 功率MOSFET低温工作特性分析 功率MOSFET反向特性的分析模拟 功率MOSFET和IGBT 功率MOSFET雪崩击穿问题分析 关于MOS管的15个为什么 胡炎申-MOSFET驱动电路的设计与仿真 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及应用 理解功率-理解功率MOSFET管的电流 理解功率MOSFET的电流 理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性 理解MOSFET的每个特性参数的分析 如何确定MOSFET的驱动电阻 有源钳位电路 再谈米勒平台及线性区:为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效? 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 张兴柱之MOSFET分析 IR系列MOS驱动ic中文应用手册 MOS管参数详解及驱动电阻选择 mos管的最大持续电流是如何确定 mos管的GS波形振荡怎么消除 MOS管功率损耗竟然还可以这么测 MOS管开关时的米勒效应 张飞 mos管门级驱动电阻计算 MOS管器件击穿机理分析 MOS管驱动电阻怎么选择 MOS管与三极管的区别作用特性参数 MOS管炸不炸,原因就在这里 MOS开关损耗计算 MOS器件ESD失效的机理分析 MOSEFT分析_理解功率MOSFET的开关损耗 Mosfet 和 三极管:在ON 状态区别 MOSFET 应用说明 MOSFET-IGBT的驱动理论与应用 MOSFET规格书详解 MOSFET和IGBT的对比分析 MOSFET和IGBT性能对比 MOSFET米勒震荡应对1 MOSFET米勒震荡应对2 MOSFET米勒震荡应对3 MOSFET驱动电路设计参考 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区 MOSFET驱动方式详解 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计 MOSFET特性参数的理解 MOSFET体二极管反向恢复过程分析 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA) MOSFET雪崩能量计算方法 MOSFET与IGBT的本质区别 MOSFET与IGBT的驱动和保护方法 MOSFET与IGBT的应用区别 MOSFET栅极应用电路分析汇总 MOSFET栅极应用电路分析汇总(驱动、加速、保护、自举等等) NECMOSFET选型 VISHAY功率MOSFET基本系列:了解栅极电荷并用来评估开关性能
2021-09-17 14:03:19 282.73MB MOSFET 栅极应用电路分析
本文里面把Lm386的几种典型的接法一一连接好,根据不同的接法产生不同的增益值
2021-09-12 17:40:06 345KB LM386 典型 应用电路
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集成运放应用电路设计360例(王昊等著)讲述了各种电路设计,如信号处理电路等。
2021-09-11 21:40:58 6.35MB 运算放大器 电路设计
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