(3)
建议的负载电容与对应的晶
体串行阻抗(RS)
(4)
RS = 30Ω 30 pF
i2 HSE驱动电流
VDD=3.3V,VIN=VSS
30pF负载
1 mA
gm 振荡器的跨导 启动 25 mA/V
tSU(HSE)
(5) 启动时间 VDD是稳定的 2 ms
1. 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。
2. 由综合评估得出,不在生产中测试。
3. 对于CL1和CL2,建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5pF~25pF之间的瓷介电容器,并挑选符合要
求的晶体或谐振器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。
在选择CL1和CL2时,PCB和MCU引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引脚与PCB板的电容按10pF估计)。
4. 相对较低的RF电阻值,能够可以为避免在潮湿环境下使用时所产生的问题提供保护,这种环境下产生的泄漏和偏
置条件都发生了变化。但是,如果MCU是应用在恶劣的潮湿条件时,设计时需要把这个参数考虑进去。
5. tSU(HSE)是启动时间,是从软件使能HSE开始测量,直至得到稳定的8MHz振荡这段时间。这个数值是在一个标准
的晶体谐振器上测量得到,它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
图21 使用8MHz晶体的典型应用
1. REXT数值由晶体的特性决定。典型值是5至6倍的RS。
使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟
低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的
信息是基于使用表24中列出的典型外部元器件,通过综合特性评估得到的结果。在应用中,谐振器
和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振
器的详细参数(频率、封装、精度等),请咨询相应的生产厂商。(译注:这里提到的晶体谐振器就是
我们通常说的无源晶振)
注意: 对于CL1和CL2,建议使用高质量的5pF~15pF之间的瓷介电容器,并挑选符合要求的晶体或谐振器。
通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。
负载电容CL由下式计算:CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray,其中Cstray是引脚的电容和PCB板或PCB
相关的电容,它的典型值是介于2pF至7pF之间。
警告: 为了避免超出CL1和CL2的 大值(15pF),强烈建议使用负载电容CL≤7pF的谐振器,不能使用负载电
容为12.5pF的谐振器。
例如:如果选择了一个负载电容CL=6pF的谐振器并且Cstray=2pF,则CL1=CL2=8pF。
参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 (本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准) 42/87
2023-02-18 19:29:00
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STM32
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